费璐

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：衬底硅绝缘体上硅射频CMOS电路更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《真空科学与技术学报》更多>>
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改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究
《电子元件与材料》2017年第6期70-74,共5页程实 常永伟 魏星 费璐 
因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(...
关键词：高阻SOI 共面波导传输线 射频损耗 表面寄生电导效应 硅离子注入 TR-SOI 
Ta_2O_5的俄歇谱分析
《真空科学与技术学报》1989年第2期83-86,共4页陆明 费璐 张强基 
利用俄歇电子谱仪对作为深度剖面分析定标用的Ta_2O_5/Ta标样在溅射过程中的行为进行了分析。标样为阳极氧化工艺制成,厚度为500(?)。分析证明,在溅射过程中,样品内的元素组份及化学状态均相应发生明显变化,并可将全过程划分为三个阶段...
关键词：俄歇电子谱 深度剖面 阳极氧化工艺 长期贮存 分辨能力 Ta2O5 化学状态 谱分析 多层结构 组份 
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