IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术  

出　　处：《中国集成电路》2010年第1期9-9,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：IBM研究人员开发出了基于极薄SOI（ETSOI）的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。

关 键 词：CMOS技术 SOI衬底 IBM SOI工艺 研究人员 IEDM 研发中心 场效应管 

分 类 号：TN912.3[电子电信—通信与信息系统] TN4[电子电信—信息与通信工程]