IEDM

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IEDM 2011国际学术会议报导
《國家奈米元件實驗室奈米通訊》戴寶通 
2011 IEEE IEDM将热议化合物半导体最新技术
《半导体信息》2011年第5期2-3,共2页江兴 
即将于今年12月5～7日举行的本届IEEE IEDM(国际电子器件大会)中,将有来自三个不同团队的研究人员,展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录。英特尔的团队将揭示带30 nm栅极的三栅极(tri-gate)
关键词：化合物半导体 IEEE IEDM 功率元件 量子阱 技术副总裁 英飞凌 功率半导体 击穿电压 飞兆半导体 寄生电阻 
产品
《微纳电子技术》2011年第4期275-275,共1页
松下与IMEC联合开发工作电压1．8v的MEMS谐振器 松下与比利时的IMEC宣布，共同开发了Q值为业界最高水平的低电压驱动MEMS谐振器。部分开发技术已在“IEDM 2010（2010 IEEE International Electron Devices Meeting）”（2010年12月6—...
关键词：MEMS谐振器 DEVICES 产品 低电压驱动 工作电压 IEDM IEEE 开发 
IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术
《中国集成电路》2010年第1期9-9,共1页
IBM研究人员开发出了基于极薄SOI（ETSOI）的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SO...
关键词：CMOS技术 SOI衬底 IBM SOI工艺 研究人员 IEDM 研发中心 场效应管 
IEDM发布新型内存解决方案
《半导体信息》2009年第6期8-,共1页韩潇 
IEDM是介绍微电子学、纳米电子学、生物电子学领域器件研究的会议。美国东海岸地区创新成果显著,本年度的会议将在巴尔的摩举办。届时,来自世界各地的企业,大学和国家实验室的研究者们将会发布215篇论文报告。
关键词：内存芯片 器件 气相化学反应 IEDM 光刻工艺 掩膜 
IEDM上逻辑器件面对面
《集成电路应用》2009年第1期32-33,共2页David Lammers 
在一篇延期提交N2008国际电子器件会议（IEDM）的论文中，来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台，并介绍了基于锑化铟（InSb）的pFET，其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片，此...
关键词：逻辑器件 IEDM Intel公司 技术平台 研究人员 电子器件 SRAM 锑化铟 
台积电发布28nm工艺首次采用了高-k和HKMG技术
《中国集成电路》2009年第1期7-7,共1页
日前，台积电发布了28nm工艺技术。该技术采用193nm的液浸光刻，并首次采用HKMG技术。晶体管的栅长最短为24nm。EOT（等效氧化膜厚度）为0．9nm，与该公司在07年IEDM上发布的未采用HKMG的32nm工艺技术的EOT值1．6nm相比，大幅削减了厚度。
关键词：台积电 技术 工艺 IEDM 膜厚度 晶体管 光刻 等效 
IEDM 2008国际会议报导
《國家奈米元件實驗室奈米通訊》陳豪育 
英特尔计划在IEDM上推出32纳米工艺
《中国集成电路》2008年第11期5-5,共1页
在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会（IEDM）上，英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。根据IEDM文件，英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片，单元尺寸为0．171平方微米。...
关键词：英特尔公司 纳米工艺 IEDM 高性能处理器 电子器件 IEEE 32纳米 SRAM 
Ⅲ-Ⅴ族化合物与CMOS：逻辑的选择？
《现代材料动态》2008年第8期15-16,共2页邓志杰（摘译） 
如果你想了解SiCMOS工艺的将来，那么IEDM（国际电子器件会议）是值得一去的“地方”。IEDM每年12月份交替在华盛顿和旧金山举行，已有50多年的历史了。一些关键性的半导体工艺常常在该会议上“出现”。2007年会议的与会者又在共同关注...
关键词：CMOS工艺 Ⅲ-Ⅴ族化合物 逻辑 化合物半导体 IEDM 半导体工艺 微电子工艺 电子器件 
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