IEDM上逻辑器件面对面  

作　　者：David Lammers 

机构地区：[1]News Editor

出　　处：《集成电路应用》2009年第1期32-33,共2页Application of IC

摘　　要：在一篇延期提交N2008国际电子器件会议（IEDM）的论文中，来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台，并介绍了基于锑化铟（InSb）的pFET，其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片，此外其他几家逻辑器件供应商也介绍了他们最先进的工艺技术。

关 键 词：逻辑器件 IEDM Intel公司 技术平台 研究人员 电子器件 SRAM 锑化铟 

分 类 号：TN6[电子电信—电路与系统] TP332.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]