寄生电阻

作品数：50被引量：52H指数：3
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相关期刊：《南京师大学报（自然科学版）》《微处理机》《传感技术学报》《微电子学》更多>>
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电感寄生电阻对DC-DC变换器电压闭环控制的影响
《云南师范大学学报（自然科学版）》2024年第2期27-30,共4页高丰 马逊 周凯胜 申凯文 
国家自然科学基金资助项目(52267020);云南省科技人才与平台计划资助项目(202305AC160085);全国大学生创新训练计划资助项目(202210681021)。
以Boost变换器为例,用状态空间平均法推导出DC-DC变换器(包含寄生电阻)的电压开环传递函数,在此基础上构建了变换器的电压闭环传递函数以实现电压闭环控制.使用Matlab/Simulink仿真对比了电感寄生电阻变换器模型与理想变换器模型在电压...
关键词：DC-DC变换器 电感寄生电阻 电压闭环控制 仿真 
基于新型CD单元的两相交错并联高增益Boost变换器
《太阳能学报》2024年第3期408-418,共11页杨向真 刘灿 杜燕 张涛 陶燕 王锦秀 
国家重点研发计划(2021YFB2601402)。
为减少基于电容-二极管(CD)升压单元的两相交错并联高增益Boost变换器的CD单元数量,提升变换器电压增益,提出一种最后两级CD单元电容并联充电、串联供电的新型两相交错Boost变换器拓扑结构,进一步发挥CD单元的升压能力。分析新型3CD、4C...
关键词：BOOST变换器 电容 电感 交错并联 高增益 寄生电阻 
一种改进的基于110 GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法
《红外与毫米波学报》2024年第1期85-90,共6页李织纯 吕渊婷 张傲 高建军 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(62201293,62034003)。
提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点(V_(gs)>V_(th),V_(ds)=0V)的等效电路模型,推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明...
关键词：InP高电子迁移率晶体管 等效电路模型 寄生电阻 器件建模 
先进CMOS制造工艺的技术演进及自主发展思考
《前瞻科技》2022年第3期52-60,共9页张卫 徐敏 陈鲲 刘桃 杨静雯 孙新 黄自强 汪大伟 吴春蕾 王晨 徐赛生 
信息社会的迅猛发展极大推动了对高性能计算的需求。而先进互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺是制造高性能计算芯片的保障,因此成为世界顶尖设计公司和芯片制造企业竞争的技术高地。文章概述了鳍式场效应晶体管(FinFET)之后技术演进...
关键词：纳米片 环栅 寄生沟道 寄生电阻/电容 沟道应力 设计工艺协同优化 无损表征 
具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片被引量：1
《半导体技术》2021年第9期680-685,共6页翟世崇 李文昌 吴鸿昊 刘剑 鉴海防 
北京市科技计划项目(Z191100010618001)。
设计并流片实现了一款具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片。分析了远端测温原理和寄生电阻对测温精度的影响,利用差分结构采集远端三极管产生的温度信号。采用一阶Σ-Δ模数转换器(ADC)将温度信号进行量化,并使用寄生电阻消除技术降低...
关键词：远端测温芯片 双极型晶体管 寄生电阻消除 Σ-Δ调制器 模数转换器(ADC) 
3 nm以下节点堆叠环栅器件关键技术的考虑被引量：2
《微纳电子与智能制造》2021年第1期27-31,共5页徐敏 张卫 陈鲲 杨静雯 刘桃 吴春蕾 王晨 
进入3 nm以下技术节点后,堆叠纳米片环栅晶体管(stacked-nanosheets GAA transistors)因为拥有更为出色的沟道控制能力和输出更大的驱动电流,将替代鳍型晶体管(FinFET)成为全新一代的CMOS技术架构;但同时在沟道形成、内侧墙、寄生沟道...
关键词：堆叠纳米片 环栅 寄生沟道 寄生电阻/电容 沟道应力 设计-工艺协同优化 
AOT控制的降压型转换器的稳定性分析
《微电子学》2019年第6期829-833,共5页徐婷婷 柴常春 王艳秀 刘彧千 
国家自然科学基金资助项目(61634004)
为了保证自适应导通时间控制的降压型转换器能在输入电压全范围内正常工作,通过理论分析和时域推导,研究了输出电容的ESR对系统稳定性的影响。结果表明,只有ESR足够大,才能保证其电压变化率大于输出电容电压变化率,从而保证系统的稳定...
关键词：降压型转换器 自适应导通时间 等效串联寄生电阻 稳定性 
液晶显示装置降低RC延迟效应技术分析
《中国科技信息》2019年第19期16-18,共3页张小波 
近年来,液晶显示装置发展迅速。然而,液晶显示装置会由于基板上信号线寄生电阻和寄生电容存在而造成阻容延迟(RC delay)。由于信号线寄生电阻、电容带来的延迟效应,使得信号的波形发生变化。随着液晶显示装置的大型化,数据传输速度的增...
关键词：液晶显示装置 延迟效应 技术分析 RC 数据传输速度 寄生电容 寄生电阻 信号线 
一种评估功率LDMOS散热特性的方法
《微电子学》2019年第4期588-592,共5页李浩 杜寰 
介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法。在0.18μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试。通过对物理机理以及I-V曲线进行分析,发现随着叉指数目的不断增加,归一化的寄生电阻趋近定值。基于此,提出了寄...
关键词：功率LDMOS TLP测试 寄生电阻 
封装寄生参数对并联IGBT芯片瞬态电流分布的影响规律被引量：3
《中国电力》2019年第8期16-25,共10页石浩 吴鹏飞 唐新灵 董建军 韩荣刚 张朋 
国家科技重大专项集成电路专项资助项目(2015ZX02301);国家电网公司科技项目(GEIRI-GB-71-17-001)~~
大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要。首先介绍了大功率IGBT模块内部布局不一致导致的封装寄生参数差异性。其次,结合IGBT等效电路模型及其开...
关键词：IGBT 并联芯片 寄生电感 寄生电阻 瞬态电流分布 
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