图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究  

Fabrication of GaN on patterned silicon-on-insulator by epitaxial lateral overgrowth

作　　者：张波[1,2] 陈静[1] 魏星[1,2] 武爱民[1] 薛忠营[1,2] 罗杰馨[1,2] 王曦[1,2] 张苗[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《功能材料》2010年第7期1208-1210,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2009ZX02038);上海市政府半导体照明基金资助项目(05d211006-3);上海市科学技术发展基金资助项目(08520740100)

摘　　要：采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。Using metal-organic chemical vapor deposition system,GaN films were grown on the patterned silicon-on-insulator （SOI） substrate by epitaxial lateral overgrowth.GaN films were characterized by the scanning electron microscopy （SEM）,the cross-section transmission electronmicroscopy （XTEM） and the Raman spectroscopy.It is shown that the residual stress and the threading dislocation density can be decreased in the ELO areas of GaN films.

关 键 词：氮化镓 绝缘体上硅 侧向外延 

分 类 号：O782[理学—晶体学] O765