许淼

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：半导体器件FINFET半导体穿通鳍片更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用于后栅工艺的SOI-FinFET选择性沟道缩小技术
《微纳电子技术》2015年第7期460-473,共14页李俊锋 马小龙 王防防 许淼 
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后...
关键词：FinFET器件 SOI衬底 后栅工艺 选择性沟道缩小 亚阈值特性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部