亚阈值

作品数：149被引量：255H指数：7
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具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
《半导体技术》2025年第3期241-247,共7页范继锋 王永强 张艺 李巍 雷鹏 
国家电网内蒙古分公司科技项目(2024-4-38)。
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基...
关键词：GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压 
面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制
《集成电路与嵌入式系统》2025年第1期47-55,共9页王俊杰 肖宛昂 吴静珠 
国家自然科学基金(61807001)。
基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数...
关键词：RFID芯片 温度传感器 TDC 亚阈值 
0.18μm PDSOI MOSFET高温模型研究
《微电子学》2024年第4期542-546,共5页王成成 洪敏 蒲凯文 王芳 李博 朱慧平 刘凡宇 卜建辉 
集成电路与微系统全国重点实验室基金项目(2022-JCJQ-LB-049-3)。
针对目前业界主流伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型绝缘体上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator,BSIMSOI)模型无法满足高温集成电路仿真需求的问题,开展了绝缘体上硅(Sil...
关键词：BSIMSOI PDSOI 亚阈值漏电 高温模型 
偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究
《集成电路与嵌入式系统》2024年第7期30-36,共7页黄潇枫 李臣明 王海滨 孙永姝 王亮 郭刚 汪学明 
国防科工局抗辐照应用技术创新基金重点项目(KFZC2020010401)。
针对22 nm FDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于Sentaurus TCAD仿真工具对22 nm FDSOI NMOS进行建模,仿真研究了22 nm FDSOI NMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理。仿真结果表明,22 nm ...
关键词：22 nm FDSOI 单粒子瞬态 亚阈值 TCAD 
一种低温度系数高阶补偿基准电压电路设计
《湖南大学学报（自然科学版）》2024年第6期178-186,共9页张涛 邱云飞 刘劲 
国家自然科学基金资助项目(61873196)。
基准电压对模拟系统的性能与精度有着至关重要的影响.一般的曲率补偿仅能消除与温度相关的二阶项,难以满足某些电路对高精度的要求.现有的电路存在温度系数较高的问题,亟须对更高阶进行补偿.本文提出了一种新的高阶曲率补偿方法,通过利...
关键词：低温度系数 亚阈值 电压基准 高阶曲率补偿 
一种低温漂低功耗的带隙基准电压源设计
《电子元件与材料》2024年第5期617-624,共8页张涛 刘逸冬 刘劲 
国家自然科学基金(61873196)。
为了提高DC-DC转换器的性能,提出了一种电压带隙基准。通过调节参数抵消掉两路电流的一阶温度项,得到了只具有常数项和高阶温度项的电流,从而在输出电阻上转化为电压补偿三极管的高阶温度项,进而使得带隙具有较低的温度系数。之后在输...
关键词：带隙基准 温度补偿 亚阈值 温度系数 
新型低功耗低温漂带隙基准电路设计
《中国集成电路》2024年第3期50-53,77,共5页孙丰毅 李建成 
本文提出了一种新型参考电压电路设计方式,其产生的输出参考电压,又被称为带隙基准,具有超低功耗、低温漂系数的特点,电路简单易于实现,非常适合于低功耗领域芯片设计的应用。与传统的带隙基准电路不同,此电路利用具有负温度系数的双极...
关键词：低功耗 低温漂 带隙基准 负温度系数 亚阈值 正温度系数 
亚阈值电路单元延时波动统计建模方法
《微电子学》2023年第5期834-840,共7页许婷 闫珍珍 刘海南 李博 乔树山 韩郑生 卜建辉 
集成电路产业的不断发展以及行业对高能效的不断追求使得工艺尺寸不断缩小,越来越多的电路工作在亚阈值区,工艺参数波动导致电路延时呈现非高斯分布。统计静态时序分析作为先进工艺下用于分析时序的新手段,采用将工艺参数和延时用随机...
关键词：亚阈值 单元延时统计建模 波动性建模 分布拟合 主成分分析 人工神经网络 机器学习 
一种高电源抑制比低温漂带隙基准电压源设计被引量：2
《无线电工程》2023年第8期1910-1916,共7页钱星 蒋品群 宋树祥 岑明灿 蔡超波 
国家自然科学基金(62061005);广西自然科学基金(2022GXNSFBA035646);广西创新驱动发展专项(AA19254001)。
针对传统带隙基准电压源温度系数大、电源抑制比低等问题,设计了一种低温漂高电源抑制比的带隙基准电压源。将具有二阶温度项的亚阈值状态NMOS管漏电流转化为电压,以消除输出支路三极管的二阶温度项,实现二阶温度补偿;增加了一个前置的...
关键词：带隙基准电压源 预稳压 亚阈值曲率补偿 高电源抑制比 低温漂 
基于传感器系统的低功耗运算放大器
《半导体技术》2023年第2期132-139,共8页王健 钟问问 
为适应传感器系统向微型化发展的趋势,设计了一种低功耗运算放大器。放大器偏置电路以共源共栅电流镜结构为基础,输出稳定偏置电流;轨对轨输入级利用亚阈值技术,保证其跨导恒定;输出级采用电流镜结构,实现AB类工作;在求和电路和输出级...
关键词：传感器 低功耗 轨对轨 亚阈值技术 失调电压 
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