表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响  

Effects of Surface Pretreatments on Leakage Properties of MOS Devices with HfO_2 as Gate Dielectrics

作　　者：许胜国[1] 徐静平[1] 李艳萍[1] 陈卫兵[1] 季峰[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《微电子学》2006年第4期441-445,共5页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60376019);湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087)

摘　　要：采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2+CHCl3(TCE)表面预处理工艺,可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度,从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。Using reactive magnetron sputtering, HfO2 gate dielectric films with different pretreatments and annealing conditions were deposited on n-Si（100）substrates, Analysis of leakage current and SILC effects shows that the interface property was obviously improved by O2 ＋ CHCl3 （TCE）pretreatments, thus reducing gate leakage current and SILC effects.

关 键 词：HFO2 MOS器件 栅极漏电流 SILC效应 界面态 氧化物陷阱 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN305.2