邹晓

作品数：28被引量：33H指数：3
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发文主题：界面层MOS电容栅介质高K栅介质MOSFET更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
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TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
《固体电子学研究与进展》2010年第3期338-341,共4页邹晓 徐静平 张雪峰 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(～24)和良好的可靠性...
关键词：锗金属氧化物半导体 Hf基高κ 界面特性 氮氧钽界面层 
表面钝化对Ge MOS电容可靠性的影响
《微电子学》2009年第4期563-566,共4页邹晓 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质。研究了表面钝化对Ge MOS器件性能的影响。实验结果表明,湿NO表面钝化能生长高质量GeOxNy界面层,有效降低...
关键词：Ge MOS HfTiON 表面钝化 界面层 
表面预处理对Ge MOS电容特性的影响被引量：2
《半导体技术》2009年第6期573-575,606,共4页邹晓 蒋万翔 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、...
关键词：锗金属氧化物半导体 氧化钛铪 表面预处理 界面层 高k 磁控溅射法 
退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响
《压电与声光》2009年第1期84-86,共3页邹晓 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(60576021;60776016)
采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数κ栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响。透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量...
关键词：锗金属氧化物半导体 退火气氛 氧化钛铪 界面层 
表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响
《电子器件》2008年第4期1134-1136,1140,共4页邹晓 徐静平 黎沛涛 李春霞 
国家自然科学基金资助项目(60576021,60776016);中国香港特别行政区(HKSAR)科研资助委员会资助项目(RGC)(HKU7142/05E)
通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质。研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低...
关键词：锗金属氧化物半导体 氮化氧化钛铪 表面钝化 界面层 
HfTiO高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第2期198-202,共5页邹晓 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60776016,60576021)
采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度(EOT)的HfTiO高κ栅介质薄膜,研究了湿N2和干N2气氛退火对GeMOS电容电特性的影响。隧穿电子显微镜、椭偏仪、X射线光电子频谱、原子力显微镜以及电特性的测量结果分别表明,与...
关键词：锗金属氧化物半导体 氧化钛铪 湿氮气退火 界面层 
应变SiGe沟道PMOSFET阈值电压模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第2期180-184,234,共6页徐静平 苏绍斌 邹晓 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符合。利用此模型,模拟分析了各结构参数对器件阈值电压的影响,...
关键词：应变硅锗 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阈值电压 准二维模型 
不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第1期142-144,157,共4页陈卫兵 徐静平 李艳萍 许胜国 邹晓 
国家自然科学基金资助项目(60376019)资助
在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。电容电压(C-V)特性和栅极漏电流特性测试结果表明,800°C快速热退火(RTA)样品表现出更低的界面态密度、更低...
关键词：HfTiON 高K栅介质 快速热退火 共反应溅射 栅极漏电流 
HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
《压电与声光》2007年第5期583-585,共3页朱秋玲 徐静平 邹晓 黎沛涛 李春霞 
国家自然科学基金资助项目(60576021);中国香港特别行政区科研资助委员会资助项目(HKU7142/05E)
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO...
关键词：GeMOS HfTiO HFO2 介电常数 界面态密度 
湿N_2退火HfTiO和HfO_2栅介质Ge MOS电特性研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2007年第2期143-146,共4页邹晓 徐静平 朱秋玲 黎沛涛 李春霞 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576021);中国香港特别行政区(HKSAR)科研资助委员会(RGC)资助项目(合同号:HKU7142/05E)
采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质...
关键词：锗金属氧化物半导体 氧化钛铪 二氧化铪 湿氮气退火 界面层 
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