HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析  

Fabrication and Electrical Characteristic Analysis of Ge MOS Capacitor with Novel HfTiO Gate Dielectric

作　　者：朱秋玲[1] 徐静平[1] 邹晓[1] 黎沛涛[2] 李春霞[2] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [2]香港大学电机与电子工程系

出　　处：《压电与声光》2007年第5期583-585,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60576021);中国香港特别行政区科研资助委员会资助项目(HKU7142/05E)

摘　　要：采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。The HfTiO and HfO2 high k gate dielectrics on Ge substrate have been achieved by Reactive co-sputtering method and wet N2 annealing process. The electrical measurement results indicate the increase of permittivity due to the introduction of Ti and the decrease of equivalent oxide thickness, but the interface-state density increases too. Modulating the content of Ti for HfTiO film and surface pretreating will improve the quality of the HfTiO/Ge interface.

关 键 词：GeMOS HfTiO HFO2 介电常数 界面态密度 

分 类 号：TN305.5[电子电信—物理电子学] TN386.1