苏绍斌

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文主题：阈值电压PMOSFET阈值电压模型短沟道效应CMOS工艺更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
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应变SiGe沟道PMOSFET阈值电压模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第2期180-184,234,共6页徐静平 苏绍斌 邹晓 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符合。利用此模型,模拟分析了各结构参数对器件阈值电压的影响,...
关键词：应变硅锗 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阈值电压 准二维模型 
SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第2期148-151,156,共5页邹晓 徐静平 李艳萍 陈卫兵 苏绍斌 
国家自然科学基金资助(6057602160376019)
通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽...
关键词：锗硅沟道 金属-氧化物-半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应 
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