电离辐射效应

作品数：69被引量：210H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陆妩任迪远郭旗张正选余学锋更多>>
相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所西北核技术研究所中国科学院中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金博士科研启动基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
双极晶体管空间辐射效应的研究进展被引量：1
《环境技术》2024年第7期188-194,共7页韩星 王永琴 曾娅秋 刘宇 粟嘉伟 林珑君 
重庆市自然科学基金面上项目,项目编号:CSTB2022NSCQ-MSX1631。
双极晶体管具有电流驱动能力强、噪声低、线性度高等优点,已成为航天飞行器中常用的电子元器件。然而,在空间辐射环境下服役时,双极晶体管容易发生性能退化,进而危及航天设备的运行。因此,本文综述了双极晶体管在空间辐射环境中产生的...
关键词：双极晶体管 总剂量电离辐射效应 位移损伤效应 低剂量率增强效应 电离/位移协同效应 
基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟
《固体电子学研究与进展》2022年第3期177-183,共7页陕宇皓 刘延飞 郑浩 彭征 
国家自然科学基金资助项目(61834004,61701505)。
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体...
关键词：NPN双极型晶体管 三维模型 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 仿真模拟 
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
《辐射研究与辐射工艺学报》2020年第5期60-66,共7页王利斌 王信 吴雪 李小龙 刘默寒 陆妩 
模拟集成电路重点实验室稳定支持项目(JCKY2019210C055);自治区天池博士计划项目(新科证字[2018]111号);西部之光(2018-XBQNXZ-B-003)资助。
本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数...
关键词：SIGE BICMOS 偏置条件 电离总剂量 氧化物陷阱电荷 界面态 
空穴、H+在SiO2体内输运的数值模拟研究被引量：1
《数值计算与计算机应用》2020年第2期151-158,共8页李培 贺朝会 郭红霞 李永宏 张晋新 
半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电...
关键词：电离辐射效应 空穴输运机制 H^+输运机制 TCAD数值模拟 
VDMOS电离辐射效应快速评估方法被引量：1
《核技术》2020年第5期49-53,共5页崔帅 王义元 李彩 卢健 陈斌 
高压垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused MOSFET,VDMOS)是空间广泛应用的半导体器件,由于空间环境存在电离辐射,需要开展其抗辐射能力的评估。通常采用国军标规定的常温辐照至考核剂量,再追加50%辐照剂...
关键词：高压VDMOS 电离辐射效应 评估方法 高温辐照 
基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响
《现代应用物理》2019年第3期54-58,共5页李骏 王健安 吴雪 李兴冀 杨剑群 王志宽 
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1712)
针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN...
关键词：NPN型晶体管 表面掺杂浓度 电离损伤 深能级瞬态谱 
电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟被引量：1
《湘潭大学学报（自然科学版）》2019年第4期30-39,共10页谭鹏飞 李波 王金斌 钟向丽 郭红霞 王芳 
湖南省自然科学基金青年项目(2017JJ3311)
运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴...
关键词：电离辐射 铁电存储器 相场法 90°畴结构 
核工程与核技术（本科）——清洁生活，“核”未来有约
《高校招生（高考指导）》2018年第7期33-33,共1页刘永东 
提起核，大家首先联想到的可能是“核”魇鬼的一面——核爆炸致使家园涂炭、核辐射令人恐惧万分。其实，“核”也有天使的一面——科学家在田间地头利用核辐射诱变培育新品种；医生利用核辐射产生的局部电离辐射效应抑制或破坏病变组织...
关键词：清洁生活 核技术 核工程 核辐射诱变 本科 电离辐射效应 放射性核素 病变组织 
低剂量γ辐射对视频品质的影响及其改善方法
《南华大学学报（自然科学版）》2016年第4期1-5,共5页黄景昊 邹旸 邹树梁 徐守龙 
湖南省重大专项基金资助项目(2012FJ1007);湖南省研究生科研创新基金资助项目(2015SCX02)
利用^(60)Coγ放射源对CMOS图像传感器进行辐照实验,结合其损伤机理分析造成视频画面品质下降的影响因素,并初步提出改善方法.对所采集监控画面的平均亮度及R、G、B三种色彩通道强度的变化进行了分析.实验结果表明,CMOS图像传感器在辐...
关键词：Γ射线 电离辐射效应 CMOS图像传感器 视频品质 
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响被引量：2
《核技术》2015年第6期36-42,共7页刘默寒 陆妩 马武英 王信 郭旗 何承发 姜柯 
本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 偏置条件 退火 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部