云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 深能级瞬态谱

深能级瞬态谱: 作品数：60被引量：50H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：李兴冀杨剑群吕钢卢励吾冯良桓更多>>; 相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学复旦大学四川大学更多>>; 相关期刊：《计算机应用》《原子能科学技术》《电子测量技术》《辽宁大学学报（自然科学版）》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>

电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响: 《人工晶体学报》2024年第9期1536-1541,共6页刘帅熊慧凡杨霞杨德仁皮孝东宋立辉; 浙江大学杭州国际科创中心人才专项。; 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下...; 关键词：4H-SiC MOS 电子辐照缺陷变化双碳间隙原子深能级瞬态谱

深能级瞬态谱技术在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池辐照损伤微观分析中的应用: 《现代应用物理》2024年第2期1-17,共17页李盟艾尔肯·阿不都瓦衣提王忠旭唐光海张淑艺王亭保杨鑫庄玉; 国家自然科学基金资助项目(U2330121);云南省科技厅重点基金资助项目(202201AS070019)。; 首先介绍了深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)技术在GaAs,GaInP及多结太阳电池辐照损伤微观分析中的应用,然后对DLTS技术在退火对GaAs,GaInP中主要陷阱的影响中如何发挥作用进行了综述,最后梳理了DLTS、时间分辨荧...; 关键词：深能级瞬态谱缺陷辐照损伤 Ⅲ-Ⅴ族太阳电池损伤机理

中子辐射导致的SiC功率器件漏电增加特性研究: 《物理学报》2023年第18期329-337,共9页彭超雷志锋张战刚何玉娟马腾蔡宗棋陈义强; 国家自然科学基金(批准号:12075065,62274043);广东省基础与应用基础研究基金(批准号:2021B1515120043);广东省重点研发计划(批准号:2022B0701180002);广州市科技计划(批准号:202201010868)资助的课题。; 基于14 MeV中子辐照研究了碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)器件的位移损伤退化特性.结果表明:...; 关键词：碳化硅功率器件中子辐照位移损伤深能级瞬态谱

NiO/Ga_(2)O_(3) p+-n异质结功率二极管中陷阱介导双极型电荷输运研究被引量：1: 《Science China Materials》2023年第3期1157-1164,共8页汪正鹏巩贺贺郁鑫鑫纪晓丽任芳芳杨燚顾书林郑有炓张荣叶建东; supported by the National Key R&D Program of China(2022YFB3605400);the State Key Research and Development Project of Guangdong(2020B010174002);the National Natural Science Foundation of China(62234007,U21A20503 and U21A2071).; 构筑NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结是克服Ga_(2)O_(3)p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、...; 关键词：深能级瞬态谱双极型功率电子器件电荷输运功率二极管载流子输运开启电压亚阈值区

深能级瞬态谱检测电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量的研究应用: 《当代化工研究》2023年第1期57-59,共3页支云云薛心禄王志强岳玉芳; 本文研究用深能级瞬态谱(DLTS)分析电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量,首先采用传统电容深能级变温测试方法,通过测试发现没有有效结果,接着对测试方法进行改进,采用光生深能级测试方式进行测试,测试结果表明在整个变温范围内瞬态曲线符...; 关键词：深能级瞬态谱电子级多晶硅痕量Zn元素

硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究被引量：1: 《原子能科学技术》2022年第10期2187-2194,共8页彭超雷志锋张鸿张战刚何玉娟; 本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验。试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低。同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化。分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于...; 关键词：双极晶体管总剂量效应深能级瞬态谱辐射损伤缺陷

HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究: 《电子测量技术》2020年第9期23-28,共6页肖化宇杨潇唐义强曾慧中张万里; 国家自然科学基金(51672035)项目;国家重点研发计划(2017YFB0406401)项目资助; 研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3(STO)场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧化铪...; 关键词：HfO2/SrTiO3 场效应晶体管 DLTS 缺陷介电常数

基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响: 《现代应用物理》2019年第3期54-58,共5页李骏王健安吴雪李兴冀杨剑群王志宽; 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1712); 针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN...; 关键词：NPN型晶体管表面掺杂浓度电离损伤深能级瞬态谱

Ni-Au/AlN/Si器件的深能级瞬态谱研究: 《半导体光电》2019年第4期494-498,共5页王冲赵明 Eddy SIMOEN 李伟; 对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明,制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器件中,靠近AlN/Si界面处的掺杂浓度为4.4×1017 cm-3,明显高于Si衬底的1.4×1016 cm-3,意味着制备态样品中A...; 关键词：AlN/Si界面 C-V 深能级瞬态谱点缺陷扩展态缺陷

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心: 《发光学报》2016年第12期1532-1537,共6页王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民; 国家自然科学基金(61176065,61205055);山东省自然科学基金(ZR2014FM011);信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目; 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.97...; 关键词：InPBi 深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

深能级瞬态谱