气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心  

Deep Centers in InPBi Thin Film Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

作　　者：王海龙[1] 韦志禄 李耀耀[2] 王凯[2] 潘文武[2] 吴晓燕[2] 岳丽[2] 李士玲[1] 龚谦[2] 王庶民[2] 

机构地区：[1]山东省激光偏光与信息技术重点实验室,曲阜师范大学物理工程学院,山东曲阜273165 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《发光学报》2016年第12期1532-1537,共6页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(61176065,61205055);山东省自然科学基金(ZR2014FM011);信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目

摘　　要：利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。The properties of deep center in In P1-xBixgrown by gas source molecular beam epitaxy（ GSMBE） were firstly investigated using deep level transient spectroscopy（ DLTS）. For the sample of In P,E1 peak is observed under majority-carriers filling pulse conditions. It locates at Ec-0. 38 e V with capture cross section of 1. 87 × 10^（-15）cm^2. For the sample of In P0. 9751Bi0. 0249,H1 peak is observed under minority-carriers filling pulse conditions. It locates at Ev＋ 0. 31 e V with capture cross section of2. 87 × 10-17cm^2. The deep level E1 is considered to originate from the intrinsic antisite of PIn. The deep level H1 is attributed to the formation of Bi pairs or complex Bi related clusters. It is very meaningful to make clear the causes of the two defects in the In P（ Bi） materials for device application.

关 键 词：InPBi 深中心 深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE) 

分 类 号：O474[理学—半导体物理]