高博

作品数：32被引量：71H指数：4
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供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文主题：负温度系数电性能参数退火效应热敏电阻材料热敏材料更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学化学工程更多>>
发文期刊：《功能材料》《激光技术》《固体电子学研究与进展》《强激光与粒子束》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金国家高技术研究发展计划宁波市自然科学基金更多>>
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一种评价磁流变抛光工艺误差抑制能力的方法
《激光技术》2025年第1期135-143,共9页高博 范斌 王佳 吴湘 辛强 
国家重点研发计划资助项目(2021YFC2202101)。
为了分析磁流变加工过程中去除函数对加工精度的影响以及去除函数的抗中频误差性能,采用平滑谱方法对加工中误差抑制能力进行了评估。通过非球面光学元件对平滑谱方法及传统功率谱方法进行了理论分析、仿真实验及实验验证,采用平滑谱方...
关键词：光学制造 误差评价 平滑谱曲线 中频误差 
光学元件磁流变加工不确定度误差工艺方法被引量：1
《红外与激光工程》2024年第3期203-212,共10页高博 范斌 王佳 吴湘 辛强 
国家重点研发计划项目(2021YFC2202101)。
为减少磁流变抛光过程中误差对加工精度的影响,实现光学元件磁流变高精度加工,采用一种不确定度误差工艺方法对加工中的误差进行抑制。通过对磁流变加工过程中的位置误差和去除函数误差进行不确定度分析,在理论分析与实验分析的基础上...
关键词：光学加工 面形误差 磁流变抛光 中频误差 
光学元件磁流变加工驻留时间粒子群优化算法被引量：2
《半导体光电》2023年第3期395-399,共5页高博 王佳 范斌 张帅 
国家自然科学基金项目(62075220);国家重点研发计划项目(2021YFC2202101)。
为实现光学元件磁流变高精度加工,基于脉冲迭代原理,提出基于粒子群算法的驻留时间优化方法。该方法在脉冲迭代法的基础上引入粒子群算法对整体面型残差进行优化,通过对整体驻留时间的判定,从而实现每个驻留时间点的最优选择,达到高精...
关键词：光学加工 磁流变抛光 驻留时间 中频误差 
可调微纳滤波结构的研究进展被引量：3
《中国光学》2021年第5期1069-1088,共20页余晓畅 许雅晴 蔡佳辰 袁梦琦 高博 虞益挺 
深圳市学科布局项目(No.JCYJ20180508151936092);国家自然科学基金项目(No.51975483);陕西省重点研发计划项目(No.2020ZDLGY01-03);宁波市自然基金重点项目(No.202003N4033);西北工业大学高峰体验计划(No.201912);中国科学院光谱成像重点实验室开放基金项目(No.LSIT201912W)。
传统的光谱成像系统体积较大、工作模式固定,难以满足日益复杂的应用需要。可调微纳滤波结构赋予了微型光谱成像系统轻量、灵活的独特优势,有望实现自适应、智能化的技术目标。本文综述了近些年来国内外已有的可调滤波方法和工作原理;...
关键词：可调滤波 液晶 相变材料 微纳滤波结构 
国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2016年第1期143-147,共5页高博 王立新 刘刚 罗家俊 韩郑生 王路璐 邓海涛 
国家自然科学基金资助项目(61204110);中国科学院重点实验室基金资助项目(CXJJ-15S079)
功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措...
关键词：功率金属-氧化物半导体场效应晶体管 单粒子效应 抗辐射加固 
半导体器件金铝键合的寿命研究被引量：7
《微电子学》2015年第6期800-803,共4页王路璐 李洵 高博 王立新 罗家俊 韩郑生 
湖北大学校基金资助项目(095181)
金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,接触电阻升高。针对这种失效模式,进行了三种不同高温条件下的加速寿命试验,并对这三种试验的器件进行金...
关键词：金铝键合 可靠性 加速试验 寿命预测 
固相球磨-水热法制备Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4纳米粉体及其NTC性能被引量：3
《功能材料》2014年第20期20146-20149,共4页马仁君 常爱民 高博 孔雯雯 夏军波 
国家自然科学基金资助项目(21103225);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA091102);自治区青年科技创新人才培养工程青年博士科技人才培养资助项目(2013731022);中国科学院"西部之光"资助项目(XBBS201111)
采用固相球磨-水热法制备了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4纳米粉体,研究了水热反应温度对产物粉体结构和形貌的影响,讨论了固相球磨-水热反应机理。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和直流阻温测试仪对样品结构、形貌和电性能进行表征,结果表明...
关键词：固相球磨-水热法 纳米粉体 Mn1.56Co0.96Ni0.48O4 负温度系数 热敏电阻 
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究被引量：4
《原子能科学技术》2013年第5期848-853,共6页高博 刘刚 王立新 韩郑生 余学峰 任迪远 孙静 
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明...
关键词：PMOSFET 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应 
功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究被引量：4
《微电子学》2013年第1期115-119,124,共6页高博 刘刚 王立新 韩郑生 张彦飞 宋李梅 
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系。实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参...
关键词：VDMOS 抗辐射加固 总剂量辐射 剂量率辐射 辐射效应 
双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应被引量：3
《原子能科学技术》2012年第9期1147-1152,共6页王义元 陆妩 任迪远 吴雪 席善斌 高博 徐发月 
为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律,对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果表明,电压比较器的多个参数均发生较大变化,且敏感参数与辐照条件有很强的依赖关系。不同偏置的高低剂量率辐照...
关键词：电离辐射 双极电压比较器 剂量率效应 
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