张彦飞

作品数：3被引量：13H指数：3
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：外延层功率VDMOS器件氧化层功率器件单粒子更多>>
发文领域：电子电信理学航空宇航科学技术交通运输工程更多>>
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功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究被引量：4
《微电子学》2013年第1期115-119,124,共6页高博 刘刚 王立新 韩郑生 张彦飞 宋李梅 
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系。实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参...
关键词：VDMOS 抗辐射加固 总剂量辐射 剂量率辐射 辐射效应 
国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究被引量：6
《物理学报》2012年第17期403-409,共7页高博 刘刚 王立新 韩郑生 张彦飞 王春林 温景超 
研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应,探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系.实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标,满足...
关键词：VDMOS 总剂量 辐射效应 退火 
星用功率VDMOS器件SEGR效应研究被引量：3
《核技术》2012年第6期434-437,共4页王立新 高博 刘刚 韩郑生 张彦飞 宋李梅 吴海舟 
对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应...
关键词：功率VDMOS器件 SEGR效应 加速器 注量率 
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