功率VDMOS器件

作品数：25被引量：65H指数：5
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相关机构：中国科学院微电子研究所中国电子科技集团第二十四研究所电子科技大学贵州大学更多>>
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VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
《集成电路与嵌入式系统》2024年第8期72-77,共6页徐大为 徐政 吴素贞 陈睿凌 赵小寒 彭宏伟 
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一...
关键词：功率VDMOS器件 单粒子效应 简化电路模型 表面电压 
功率VDMOS器件辐射效应研究进展被引量：1
《黑龙江科学》2023年第24期1-8,共8页张玉宝 魏亚东 杨剑群 蒋继成 姚钢 李兴冀 
黑龙江省科学院科学研究基金(KY2022YZN03)资助。
垂直沟道双扩散金属-氧化层-半导体场效应晶体管(VDMOS)是一类继MOSFET之后发展起来的高效功率开关器件,其沟道长度由外延层的厚度来控制,适合于MOS器件向短沟道尺寸发展,可提高器件的高频性能及工作效率。功率VDMOS晶体管是一类适用于...
关键词：VDMOS 电离辐射 总剂量 辐射效应 
功率VDMOS器件的SEB致SEGR效应研究被引量：3
《微电子学》2020年第3期416-420,共5页张小林 严晓洁 唐昭焕 
空间环境材料行为及评价技术重点实验室资助项目(61429100306)。
功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天器的在轨安全运行。本文在深入分析其单粒子损伤机制及微观过程的基础上,发现了功率VDMOS器件在重粒子辐...
关键词：功率VDMOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 SEBIGR效应 
评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型
《微电子学》2020年第2期236-240,共5页冯筱佳 唐昭焕 杨发顺 马奎 
空间环境材料行为及评价技术重点实验室资助项目(61429100306);教育部工程研究中心资助项目(010201)。
构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过...
关键词：功率VDMOS器件 单粒子烧毁 畸变NPN模型 耗尽区电场 
功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究被引量：1
《电力电子技术》2019年第8期113-117,共5页黄学龙 贾云鹏 李劲 苏宏源 
国家科技重大专项(2015ZX02301002)~~
针对功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件单粒子辐射在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,通过对200 V抗辐射VDMOS器件进行大量仿真研究发现,器件的元胞间距对VDMOS的抗单粒子栅穿(...
关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 结型场效应晶体管 单粒子栅穿 
功率VDMOS器件高温直流应力下退化及失效机理研究
《上海第二工业大学学报》2019年第1期36-41,共6页石磊 陈旭华 
上海第二工业大学校基金项目(EGD17XQD06)资助
研究了垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率器件在高温和直流应力下的退化和失效过程及机理。测量了栅极阈值电压[U_(GS(th))]、栅极-源极漏电流(I_(GSS))、静态漏极-源极通态电阻[R_(DS(on))]、漏极-源极击穿电压(U_(DSS)),发现R_(D...
关键词：微电子学 固体电子学 垂直双扩散金属氧化物半导体 可靠性 退化 失效 
功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析被引量：5
《电子元件与材料》2018年第7期29-34,共6页高巍 殷鹏飞 李泽宏 张金平 任敏 
国家自然科学基金项目(61404023;61474017)
热阻是反映电子器件结温的关键热参数,也是指导用户在复杂应用环境中设计热特性的关键参数。本文研究了ITO-220AB封装器件由内至外不同分层材料特性对于器件热阻及热传导的影响。通过测量四种规格VDM OS器件结到环境热阻(R_(thj-a))及...
关键词：热阻 结温 VDMOS ITO-220AB 热传导 焊锡 
功率VDMOS器件热阻测试
《机电元件》2018年第2期47-49,共3页单长玲 许允亮 刘琦 田欢 刘金婷 
功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算...
关键词：功率VDMOS器件 热特性 热阻 可靠性 
功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展被引量：4
《微电子学》2017年第3期401-405,共5页唐昭焕 杨发顺 马奎 谭开洲 傅兴华 
国家自然科学基金资助项目(61464002);贵州省重大科技专项资助项目(黔科合重大专项字[2015]6006)
针对功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固技术在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,归纳出功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固的三类技术:屏蔽技术、复合技术和增强技术。综述了国内外功率VDMOS器件这三类抗单...
关键词：功率VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅穿 加固技术 
功率VDMOS器件中纵向电场的研究
《电子设计工程》2017年第8期83-86,共4页任向兵 鲍嘉明 宁可庆 
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化,为优化器件的性能起到指导作用。通过二维仿真工具TSUPREM4和MEDICI仿真...
关键词：纵向电场 外延层厚度 栅源电压 准饱和效应 
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