功率VDMOS

作品数：26被引量：38H指数：4
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250V VDMOS场限环终端的抗单粒子加固研究
《微电子学与计算机》2025年第1期117-124,共8页唐新宇 徐海铭 廖远宝 张庆东 
基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行...
关键词：功率VDMOS 单粒子 结终端 场限环 缓冲层 
基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术被引量：1
《电子与封装》2023年第4期69-74,共6页徐政 郑若成 吴素贞 徐海铭 廖远宝 唐新宇 
在外延层和衬底之间增加缓冲层能够提高器件的二次击穿电压,从而提高器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压。仿真对比了抗辐射加固纵向扩散金属氧化物场效应管(VDMOS)的单层缓冲层和掺杂线性梯度变化缓冲层的二次击穿特性和电场分布。在掺杂...
关键词：功率VDMOS SEB 缓冲层 抗辐射加固 
抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究被引量：1
《微电子学》2021年第5期746-750,共5页徐政 吴素贞 徐海铭 廖远宝 吴锦波 彭时秋 赵文彬 
国家重点研发计划专项(2017YFF0104800)。
仿真研究了300V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1pC/μm),SEB电压呈负温度系数特...
关键词：功率VDMOS 单粒子烧毁 温度特性 抗辐射加固 
500 V高压平面功率VDMOS场效应晶体管结构参数优化被引量：1
《渤海大学学报（自然科学版）》2018年第3期263-268,共6页李媛 周涛 焦书豪 
国家自然科学基金项目(No:11304020)
击穿电压是VDMOS器件的重要构造参数之一,它和漏极最大电流IDMAX一同限制了该器件的运转范围.由于击穿电压的范围随功率器件运用范围的不同而出现较大差异,故本文利用Silvaco-TCAD的仿真平台对设定击穿电压为500 V的VDMOS进行结构参数...
关键词：击穿电压 工艺仿真 转移特性 输出特性 
功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善
《电子与封装》2018年第8期44-48,共5页冯超 王振宇 郝志杰 
功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件。而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标。针对UIS的测试方法和机理做了简单的介绍,同时针对某...
关键词：DMOS UIS 带氮化硅结构 
功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展被引量：4
《微电子学》2017年第3期401-405,共5页唐昭焕 杨发顺 马奎 谭开洲 傅兴华 
国家自然科学基金资助项目(61464002);贵州省重大科技专项资助项目(黔科合重大专项字[2015]6006)
针对功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固技术在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,归纳出功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固的三类技术:屏蔽技术、复合技术和增强技术。综述了国内外功率VDMOS器件这三类抗单...
关键词：功率VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅穿 加固技术 
功率VDMOS的EMI分析
《电子元件与材料》2016年第9期41-44,共4页周嵘 陈文梅 李泽宏 包慧萍 
针对功率VDMOS器件在实际应用中的电磁干扰(EMI)问题,对国内两家公司两款高压VDMOS产品进行应用于LED驱动电源模块的整机EMI测试以及VDMOS样管的动态特性测试,提出了功率VDMOS的EMI噪声优化方案。分析结果表明:适当增大VDMOS的寄生栅电...
关键词：功率VDMOS 电磁干扰 振荡 栅电阻 输入电容 米勒电容 
高压功率VDMOS元胞的研制被引量：5
《电子元件与材料》2015年第2期47-49,61,共4页干红林 冯全源 王丹 
国家自然科学基金资助项目(No.61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目资助(No.2012AA012305)
基于Sentaurus TCAD仿真软件,在外延层参数与生产工艺确定的情况下,通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻,并通过对版图元胞面积的准确计算,设计了三款导通电阻目标值为2.4,3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示,导通电阻...
关键词：功率器件 垂直双扩散场效应管 元胞设计 导通电阻 版图 流片 
低压功率VDMOS的设计研究
《新技术新工艺》2015年第2期37-40,共4页何怡 
本文对功率集成电路中耐压为60V,电流容量为2.5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上,分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。通过应用ISE TCAD器件仿真软件,得出了相关终端结构,进而完成了最终版图结构。
关键词：功率VDMOS 单胞尺寸 版图 
功率VDMOS热阻的温度系数特性研究被引量：4
《微电子学》2014年第1期110-114,共5页董晨曦 王立新 
对功率VDMOS源漏间寄生PN结正向结电压VDS随温度变化的特性进行了测量,发现VDS与结温T存在良好的线性关系,通过理论推导进行了分析验证。同时发现,温度系数α=dVDS/dT与测试电流IF满足指数关系;且VDS-T线性曲线在不同的IF下具有聚焦特性...
关键词：功率器件 热阻 温度系数 电学法 PN结 
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