电学法

作品数：51被引量：172H指数：7
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器件热阻随测试结温变化规律研究
《信息技术与标准化》2024年第4期62-65,共4页吕贤亮 李旭 侯小利 
为探究半导体分立器件电学法热阻测试时器件结温与热阻的变化规律,开展了基于热阻测试实验分析。详细介绍了热阻测试程序和典型热阻测试电路,并对4款典型VDMOS器件开展热阻测试,结合器件结构特性、热响应曲线和微观导热理论中声子导热...
关键词：半导体分立器件 电学法热阻 结温 导热系数 
电学法热阻测试切换误差评估方法研究被引量：1
《计量学报》2023年第7期1059-1063,共5页李灏 刘岩 翟玉卫 丁晨 丁立强 吴爱华 
半导体器件电学法热阻测试过程中,电流切换带来的误差是影响测试准确性的重要原因,且该误差目前尚无有效方法评估。在对误差原理分析基础上,设计了“双芯片”测试回路结构避免电流切换,得到不含切换误差的结温参考量值,实现了对仪器测...
关键词：计量学 结温测试 电流切换 双芯片回路 
红外热像法发射率校正及电学法温度补偿方法被引量：1
《电子工艺技术》2023年第3期25-27,共3页吕贤亮 王义才 李旭 孙淼 
主要对提升半导体分立器件红外热像法结温测量精度,及其与电学法温度补偿技术进行研究,从而实现电学法与红外热像法两者在结温方面的互通性。根据器件材料在不同温度下有不同发射率的理论基础,结合试验研究器件高结温发射率校正技术提...
关键词：半导体分立器件 红外热像法 电学法 发射率 结温 
基于电学法的GaN功率器件热阻测试研究
《信息技术与标准化》2022年第11期40-43,48,共5页刘羽炎 朱建垣 罗潇 
针对功率器件的热阻测试需求,开展了基于电学法的GaN器件热阻测试方法研究。分别采用Vgs和Vds温敏参数进行电学法测试对比,分析了其温敏特性差异、测试电流、及加热电流对热阻测试结果的影响,通过集成电学法与红外法测试系统对热阻测试...
关键词：热阻测试 温敏参数 GAN 功率器件 结温测试 
电学无损检测法在活立木中的应用与展望
《木工机床》2022年第2期12-15,共4页梁星宇 丁叶蔚 何宇航 黄俣劼 王正 
2020年江苏省政策引导类计划(苏北科技专项SZ-LYG202014)。
活立木作为优秀的可再生自然资源,对空气净化、城市美观、提供建材等起到重要作用。我国的森林资源仍较为短缺,而木材需求量较大,二者之间存在着巨大的供给性矛盾,且木材的利用率相对偏低。对活立木进行无损检测研究,是提高活立木利用...
关键词：电学法 活立木 研究现状 展望 
填埋场衬层渗漏的电学法检测研究进展被引量：4
《环境监测管理与技术》2021年第5期6-9,共4页刘景财 孙晓晨 能昌信 董路 郑开达 
中央级公益性科研院所基本科研业务专项基金资助项目(2019YSKY-002)。
综述了几种常用的填埋场渗漏检测方法,指出电学法已成为填埋场不同运行阶段(施工期和运营期)渗漏检测的主流方法。分析了各阶段电学检测方法的适用条件和优缺点,在防渗膜铺设阶段,常利用双电极法或电极-偶极子法进行施工完整性检测;在...
关键词：垃圾填埋场 渗漏检测 电学法 
一种基于电学法的高准度水汽透过率测试模型
《上海大学学报（自然科学版）》2021年第4期677-685,共9页李泽文 张建华 郭爱英 
上海市科委重大基础研究资助项目(18JC1410402,16JC1400602)
针对传统电学法水汽透过率(water vapor transmission rate,WVTR)测试高精度、低准度的问题,提出了一种电流分布特性修正的高准度WVTR测试模型,并基于此测试模型设计了一套完整的、易于使用的WVTR测试系统.系统硬件采用了便于维护的高...
关键词：封装 水汽透过率 电学法 误差补偿 
基于电学法对二维多芯片组件的热阻矩阵研究被引量：1
《电子质量》2021年第7期112-116,共5页汪张超 刘安 吕红杰 
高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应。该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯片的热耦合效应,基于电学方法确定热阻矩阵,通过理论计算获得芯片稳态工作温度。并通过红外热像试验验证...
关键词：多芯片组件 热阻矩阵 半导体技术 VDMOS 
器件串联电阻对脉冲电流结温测试方法影响研究
《宇航计测技术》2021年第1期38-42,共5页郑世棋 李灏 翟玉卫 刘岩 韩伟 吴爱华 
半导体器件电学法结温测试过程中,校温过程同测温过程的热分布状态存在差异,导致串联电阻阻值不一致,是影响脉冲电流方法结温测试准确性的重要原因。以功率二极管为研究对象,通过搭建脉冲电流结温测量装置,对器件整体及主要串联电阻温...
关键词：电学法 结温测量 脉冲电流法 串联电阻 热分布 
基于电学法的功率MOSFET器件芯片温升测量方法研究
《质量与可靠性》2020年第6期58-62,共5页易晓东 石帮兵 
热性能是功率器件重点关注的对象,热失效已成为影响功率器件可靠性和使用寿命的重要因素。以SiC MOSFET功率器件为试验对象,设计测量电路,研究器件栅极开启延迟时间与芯片温升之间的对应关系,提出一种栅极开启延迟时间作为温敏参数的功...
关键词：功率MOSFET器件 开启延迟 芯片温度 
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