功率MOSFET器件

作品数：56被引量：63H指数：5
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300 MeV质子重离子加速器及电子器件单粒子效应试验研究
《现代应用物理》2024年第4期130-136,共7页沈志强 刘剑利 陈启明 肖一平 刘超铭 王天琦 
国家自然科学基金资助项目(12075069,12275061,62304102,62234007,62293522,U21A20503,U21A2071)。
300 MeV质子重离子加速器主要用于模拟空间环境中高能粒子辐照,探索高能粒子与材料、器件以及生命体的相互作用机理。该加速器主要由离子源、直线加速器、注入线、同步加速器、引出线和3个实验终端组成。自2022年11月验收以来,该加速器...
关键词：质子重离子加速器 高能粒子辐照 SiC功率MOSFET器件 栅极潜损伤 泄漏电流永久退化 单粒子烧毁 
电子辐照对SiC功率MOSFET器件动态特性的影响机理
《西安交通大学学报》2022年第11期95-103,共9页付祥和 赵小龙 彭文博 郭书文 蔡亚辉 贺永宁 
国家重点研发计划资助项目(2020YFB0407800)。
针对SiC功率场效应晶体管在太空、核工业等高能粒子辐照环境下应用时的老化失效问题,以1200 V SiC MOSFET器件为对象,研究了电子辐照对SiC MOSFET器件动态特性影响及机理。在10 MeV电子束下对SiC MOSFET器件进行200 kGy剂量的辐照;然后...
关键词：SiC功率器件 场效应晶体管 电子辐照 动态特性 
比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第5期341-346,共6页李飞飞 陈谷然 应贤炜 黄润华 栗锐 柏松 杨勇 
国家重点研发计划项目(2020YFF0218500);国家自然科学基金重点项目(12035019)。
针对电动汽车、光伏、储能等战略性新兴产业对高可靠高效率碳化硅功率MOSFET器件的需求,开展了650 V碳化硅外延结构、芯片JFET区尺寸和掺杂等关键技术研究,研制出比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V、200 A碳化硅MOSFET。器件在漏极电压9...
关键词：碳化硅 功率MOSFET 650 V 比导通电阻 可靠性 
30V条件下功率MOSFET器件应力波理论与试验研究被引量：5
《中国电机工程学报》2021年第16期5683-5692,共10页何赟泽 邹翔 李孟川 周雅楠 赵志斌 黄守道 佘赛波 白芸 
国家自然科学基金面上项目(52077063);长沙市科技计划项目(kq2004006);新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)(LAPS19013)。
功率金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)在电磁热机等物理场相互作用下产生的应力波,对器件的可靠性设计和状态监测有重要意义。根据理论分析可知,功率MOSFET开通或关断可以产...
关键词：功率金属–氧化物半导体场效应晶体管 声发射 高频电磁波 机械应力波 可靠性 状态监测 
基于电学法的功率MOSFET器件芯片温升测量方法研究
《质量与可靠性》2020年第6期58-62,共5页易晓东 石帮兵 
热性能是功率器件重点关注的对象,热失效已成为影响功率器件可靠性和使用寿命的重要因素。以SiC MOSFET功率器件为试验对象,设计测量电路,研究器件栅极开启延迟时间与芯片温升之间的对应关系,提出一种栅极开启延迟时间作为温敏参数的功...
关键词：功率MOSFET器件 开启延迟 芯片温度 
MOSFET栅极寄生电容对电参数测试影响被引量：2
《电子世界》2019年第17期37-38,共2页范春帅 张扬 彭丽君 
在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄...
关键词：功率MOSFET器件 电参数测试 寄生电容 栅极 IGSS 延迟时间 测试程序 测试值 
三维功率MOSFET器件的热可靠性设计
《现代电子技术》2019年第12期81-85,共5页林洁馨 杨发顺 马奎 丁召 傅兴华 
国家自然科学基金地区科学基金项目(61664004)~~
基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极...
关键词：热可靠性设计 MOSFET 三维集成技术 功率器件 硅通孔布局 散热 热阻降低 
功率MOSFET器件安全工作区的研究被引量：2
《电力电子技术》2018年第8期70-72,共3页许迪迪 张小玲 齐浩淳 谢雪松 
功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区。为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析模型,综合考虑了电流温度系数、热阻等因素,分析解释热不稳定产生条件,通过与实验数据的对比,证明了模...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 热不稳定 安全工作区 
SiC功率MOSFET器件研制进展被引量：4
《电力电子技术》2017年第8期1-3,共3页柏松 黄润华 陶永洪 刘奥 
碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺,采用一氧化氮(NO)栅氧退火工艺技术研制出击穿...
关键词：金属-氧化物半导体场效应管 碳化硅 可靠性 
全新三相BLDC控制器和MOSFET驱动器IC
《今日电子》2017年第5期68-68,共1页
可与外部N沟道功率MOSFET器件一同使用的全新三相无刷直流（BLDC）马达控制器AMT49413，它集成了高性价比三相马达驱动系统设计所需的大部分电路，具有高达50V的最大供电电压。
关键词：功率MOSFET器件 马达控制器 驱动器IC BLDC 三相 马达驱动系统 高性价比 供电电压 
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