MOSFET栅极寄生电容对电参数测试影响  

作　　者：范春帅 张扬 彭丽君 

机构地区：[1]贵州航天计量测试技术研究所

出　　处：《电子世界》2019年第17期37-38,共2页Electronics World

摘　　要：在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄生电容干扰导致测试结果不准确的测试程序编写方法。

关 键 词：功率MOSFET器件 电参数测试 寄生电容 栅极 IGSS 延迟时间 测试程序 测试值 

分 类 号：TN701-4[电子电信—电路与系统]