结终端

作品数：47被引量：61H指数：4
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250V VDMOS场限环终端的抗单粒子加固研究
《微电子学与计算机》2025年第1期117-124,共8页唐新宇 徐海铭 廖远宝 张庆东 
基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行...
关键词：功率VDMOS 单粒子 结终端 场限环 缓冲层 
p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究
《空间电子技术》2023年第5期45-49,共5页常青原 贾富春 李萌迪 侯斌 杨凌 马晓华 
国家自然科学基金(编号:62104184);中央高校专项(编号:XJSJ23047)
由于缺少p型氧化镓,造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用,提出采用p-GaN与n-Ga_(2)O_(3)之间形成pn结JTE结构,有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理...
关键词：p型氮化镓 氧化镓 结终端延伸 肖特基二极管 
基于多场限环终端与结终端扩展技术的新型复合终端结构的研究
《光源与照明》2023年第9期59-61,共3页陈志盛 廖淋圆 曾荣周 吴振珲 阳治雄 
湖南省学位与研究生教育改革项目“电子信息专业研究生校企联合培养机制的研究”(2020JGYB206)。
击穿电压是衡量功率器件性能的一个重要指标,场限环终端结构能有效提高PIN二极管的击穿电压,文章基于FLR终端结构基础,在每个场限环的边缘引入JTE扩展层,提出了一种新型复合终端结构的PIN二极管,研究了NCT结构PIN对击穿电压和电场分布...
关键词：PIN二极管 终端结构 击穿电压 电场分布 
建模分析GaN基二极管的p型结终端影响
《中国集成电路》2023年第7期48-52,91,共6页黄永 
为防止功率器件局部电场尖峰导致的初始撞击电离和破坏性击穿,通常硅(Si)或碳化硅(SiC)基器件采用边缘终端结构,而该技术在氮化镓(GaN)基功率器件上受限于加工工艺而未能普及。本文基于器件级仿真计算,拟用p型GaN和p型氧化镍(NiO)分别...
关键词：氮化镓 氧化镍 二极管 结终端 耐压 
高压VDMOS结终端技术研究
《机电元件》2023年第1期20-23,共4页单长玲 习毓 丁文华 
本文针对高压VDMOS器件的结终端技术进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结终端扩展技术以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理,并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端结构,经封测及可靠性验证,性能稳定。
关键词：场板 场限环 截止环 结终端扩展 横向变掺杂 复合终端 
GaN垂直结构器件结终端设计
《电子与封装》2023年第1期40-51,共12页徐嘉悦 王茂俊 魏进 解冰 郝一龙 沈波 
国家重点研发项目(2022YFB3604302)。
得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注。与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在...
关键词：宽禁带半导体 氮化镓 垂直结构器件 二极管 结终端 
特大功率晶闸管结终端技术对阻断电压的影响被引量：2
《电力电子技术》2022年第3期130-132,共3页陈黄鹂 王红梅 程炯 张刚琦 
国家电网有限公司总部科技项目(521999200020)。
在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结构的特大功率晶闸管,其结终端技术的负斜角角度和造型深度对结终端空间电荷区的扩展和电场分布有重要影响...
关键词：特大功率晶闸管 结终端技术 阻断电压 
阻态下晶闸管的温度场模型计算及热失效分析被引量：2
《电力电子技术》2021年第12期51-54,共4页马宁强 陈黄鹂 乔旭 何舜晗 
陕西省重点研发计划(2018ZDCXL-GY-07-01)。
阻断状态下的晶闸管会产生耐压PN结反向漏电流,PN结反向漏电流主要由3部分组成,其中表面漏电流是大功率晶闸管产生热损耗的主要原因。为证实并研究表面漏电流对大功率晶闸管热损耗的影响,降低器件热击穿风险,提高制造水平和器件可靠性,...
关键词：晶闸管 漏电流 有限元 阻断电压 结终端 
一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET被引量：4
《半导体技术》2020年第9期685-689,695,共6页刘岳巍 杨瑞霞 张志国 王永维 邓小川 
国家自然科学基金资助项目(61774054)。
设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面...
关键词：SiC MOSFET 场限环 击穿电压 阈值电压 高温反偏(HTRB) 
IGBT领域结终端技术申请人的专利分析被引量：2
《科学技术创新》2018年第26期44-45,共2页周天微 
结终端技术对于IGBT等高压功率半导体器件有着重要意义,本文主要从该领域的申请人以及重要申请人的技术入手,分析该领域的专利申请状况,并对一些重要技术进行了分析。
关键词：结终端 申请人 重要技术 
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