IGBT领域结终端技术申请人的专利分析  

作　　者：周天微 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心,天津300000

出　　处：《科学技术创新》2018年第26期44-45,共2页Scientific and Technological Innovation

摘　　要：结终端技术对于IGBT等高压功率半导体器件有着重要意义,本文主要从该领域的申请人以及重要申请人的技术入手,分析该领域的专利申请状况,并对一些重要技术进行了分析。

关 键 词：结终端 申请人 重要技术 

分 类 号：N18[自然科学总论]