单粒子

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基于单粒子的半量子相互身份认证协议
《中国科学:物理学、力学、天文学》2025年第4期73-79,共7页韩子龙 李玉凌 张波 杨怀仁 邢丁 杜响剑 窦钊 
国网浙江省电力有限公司科技项目(编号:B311JH23000C)资助。
身份认证在保护通信安全方面起着非常重要的作用.本文提出了一种以单粒子为资源的半量子相互身份认证协议.它只需执行单量子比特测量和重新排序操作而不需其他复杂的操作就能使量子参与者和经典参与者在没有第三方的情况下相互进行身份...
关键词：半量子身份认证 相互认证 单粒子 
清远南部一次大暴雨过程的水汽输送特征
《广东气象》2025年第2期32-37,共6页张金宇 陈洁雯 骆宇豪 黄永基 
为了解清远一次暴雨过程的水汽来源情况,基于降水观测数据、ERA5再分析数据,对2022年5月10—12日发生在清远南部大暴雨过程的水汽通量、水汽收支进行分析,并引入拉格朗日混合单粒子轨道模型(HYSPLIT4)定量分析暴雨过程中的水汽来源以及...
关键词：天气学 大暴雨 拉格朗日混合单粒子轨道模型 水汽源地贡献率 清远南部 
非对称沟槽SiC MOSFET单粒子栅穿机理研究
《原子能科学技术》2025年第4期957-965,共9页王立昊 董涛 方星宇 戚晓伟 王亮 陈淼 张兴 赵元富 
新型航天器对千伏级抗辐照SiC器件有迫切需求,为了给SiC MOSFET抗单粒子栅穿加固设计提供理论依据,对1 200 V非对称沟槽SiC MOSFET开展了单粒子栅穿效应研究。试验结果表明,在200 V、300 V的漏极偏置电压下进行辐照,辐照期间和辐照后器...
关键词：碳化硅 MOSFET 单粒子效应 单粒子栅穿 辐照效应 
台面终端氧化镓肖特基二极管单粒子效应研究
《人工晶体学报》2025年第3期511-516,I0003,共7页贺松 刘金杨 郝伟兵 徐光伟 龙世兵 
超宽禁带氧化镓半导体材料具有高临界场强、位移阈能等优势,在太空等高压强辐照应用环境下具有良好的应用前景。然而,由于材料较低的热导率和空穴迁移率,高能粒子辐照容易导致器件在远低于额定电压下发生单粒子烧毁(SEB)。因此,本文提...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 台面终端 辐照 单粒子效应 
应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
《电子与信息学报》2025年第3期850-858,共9页柏娜 李钢 许耀华 王翊 
安徽高校协同创新项目(GXXT-2022-080,GXXT-2023-015)。
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个...
关键词：单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器 
一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计
《中国集成电路》2025年第3期50-54,共5页施峰 张瑾 
随着集成电路特征尺寸不断缩减,软错误逐渐成为影响集成电路可靠性的主要威胁因素。针对这种情况,本文提出了一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计(DNUTL)。该锁存器使用由四对反相器构成的存储单元保证数据稳定锁存,另外采...
关键词：软错误 节点冗余 单粒子翻转 多节点翻转 
基于单粒子效应的SRAM在线检错电路设计与实现
《电子设计工程》2025年第4期25-29,35,共6页白创 周伟 
国家自然科学基金(61604020);湖南省教育厅科研项目-优秀青年项目(22B0287)。
针对单粒子效应引起的航天器SRAM数据错误问题,提出一种基于错误检查纠正(ECC)与完整性检测器相结合的系统级SRAM在线检测错误电路。ECC采用(39,32)汉明码设计,实现数据被访问时自动纠正易发性的单比特错误。完整性检测器基于哈希算法...
关键词：单粒子效应 SRAM 系统级 在线检测错误 
多重散射对40nm SRAM和3D-SRAM单粒子翻转的影响
《安徽大学学报(自然科学版)》2025年第1期53-60,共8页罗云龙 李刚 张宇 
基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(-2)).基于3D...
关键词：GEANT4 单粒子翻转 多重散射 3D-SRAM 
基于TCAD的阶梯源VDMOSFET单粒子烧毁的研究
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2025年第1期11-18,共8页项君 王颖 于成浩 
国家自然科学基金重大科研仪器研制项目(62027814)。
通过二维数值仿真工具给出了加固前后1.7 kV碳化硅(4H-SiC)功率VDMOSFET单粒子烧毁(SEB)的仿真结果。研究结果表明,与传统的五缓冲层的VDMOSFET(FB-VDMOSFET)相比,改进后的VDMOSFET在高线性能量密度(linear energy transfer, LET)值范...
关键词：单粒子烧毁 集成二极管 高可靠性 线性能量密度 
多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析
《微电子学与计算机》2025年第1期110-116,共7页池雅庆 胡春媚 陈建军 梁斌 陈小文 
国家自然科学基金(62174180)。
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重...
关键词：EDAC SEC-DED 位交织 单粒子翻转 SRAM 
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