池雅庆

作品数：24被引量：73H指数：4
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供职机构：国防科学技术大学更多>>
发文主题：单粒子翻转单粒子D触发器双模冗余缓冲电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《电子学报》《微电子学与计算机》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖南省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析
《微电子学与计算机》2025年第1期110-116,共7页池雅庆 胡春媚 陈建军 梁斌 陈小文 
国家自然科学基金(62174180)。
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重...
关键词：EDAC SEC-DED 位交织 单粒子翻转 SRAM 
体硅CMOS工艺下一种带隙基准的单粒子辐射特性分析
《国防科技大学学报》2024年第4期169-174,共6页文溢 陈建军 梁斌 池雅庆 邢海源 姚啸虎 
国家自然科学基金面上资助项目(61974163)。
为了分析带隙基准(bandgap reference,BGR)在太空环境等极端条件下的单粒子辐射特性,分别在65 nm和28 nm体硅CMOS工艺下设计实现了一款BGR试验芯片,并采用脉冲激光单粒子模拟试验研究了其单粒子辐射特性。试验结果发现,当脉冲激光能量...
关键词：带隙基准 单粒子硬损伤 脉冲激光试验 体硅CMOS工艺 
一种低压差线性稳压器的单粒子瞬态失效分析和加固设计
《电子与信息学报》2023年第11期3965-3972,共8页沈凡 陈建军 池雅庆 梁斌 王珣 文溢 郭昊 
国家自然科学基金(61974163,62174180)。
随着集成电路特征尺寸的不断缩减,CMOS集成电路的单粒子效应问题越来越严重。为了提高低压差线性稳压器(LDO)的单粒子瞬态(SET)效应加固效果,该文通过SPICE电路仿真和重离子实验研究了一种28 nm CMOS工艺LDO的SET失效机制,并研究了关键...
关键词：单粒子瞬态 低压差线性稳压器 重离子实验 SPICE电路仿真 28 nm CMOS工艺 
“VLSI设计”课程实践教学模式探索
《教育教学论坛》2023年第21期140-143,共4页池雅庆 陈海燕 陈建军 
2020年度国防科技大学研究生教育教学改革研究课题“自主可控信息领域卓越某某领军人才的培养方案研究”(yjsj2020030);2022年度国防科技大学教学成果立项培育项目“面向先进工艺全流程的超大规模集成电路专业课程建设”(jxcg2022187)。
针对“VLSI设计”课程实践教学中存在关注设计流程、掌握相关EDA工具,但缺乏对先进电路版图设计技术应用和创新实践的问题,提出了基于课前熟悉流程工具、课堂开展归纳分析和课后作业改进创新三个层次的实践教学模式,并以晶体管设计实践...
关键词：VLSI设计 实践教学 全定制 物理设计 
28nm CMOS工艺8-Gbps SerDes单粒子辐射特性研究被引量：1
《电子学报》2022年第11期2653-2658,共6页文溢 陈建军 梁斌 池雅庆 黄俊 
国家自然科学基金(No.61974163);国防科技大学高层次创新人才培训计划项目(No.4142D125106,No.434517212306)。
本文研究了28 nm体硅CMOS工艺下8-Gbps通用结构高速并转串/串转并接口(Serializer/Deserializer,SerDes)的单粒子辐射特性,该SerDes由电压模发送器(Transmitter,TX)和相位插值(Phase Interpolation,PI)型接收器(Receiver,RX)组成,通过...
关键词：串转并/并转串接口 单粒子效应 双指数电流源仿真 敏感节点 脉冲激光测试 
金红石TiO_2中本征缺陷扩散性质的第一性原理计算被引量：1
《物理学报》2018年第17期198-205,共8页刘汝霖 方粮 郝跃 池雅庆 
国家自然科学基金(批准号:61332003);湖南省自然科学基金(批准号:2015JJ3024)资助的课题~~
基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,...
关键词：金红石 本征缺陷 扩散 第一性原理 
温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响被引量：2
《原子能科学技术》2018年第4期750-755,共6页蔡莉 刘建成 覃英参 李丽丽 郭刚 史淑廷 吴振宇 池雅庆 惠宁 范辉 沈东军 何安林 
国家自然科学基金面上基金资助项目(11475272)
本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软...
关键词：重离子 单粒子效应 单粒子翻转 温度效应 空间错误率预估 静态随机存储器 
结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响被引量：1
《计算机工程与科学》2017年第12期2176-2184,共9页刘蓉容 池雅庆 窦强 
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的...
关键词：N’-N结 P’-P结 PN结 单粒子瞬态 PMOS NMOS 脉冲宽度 
基于指示信号方式实现跨时钟域数据传输的方法被引量：4
《计算机工程与科学》2017年第12期2192-2197,共6页王良 方粮 池雅庆 王之元 
国家自然科学基金(61303068);湖南省自然科学基金(S2015J504B)
随着片上系统(SoC)技术的发展,芯片内各个模块交流频繁。异步系统因功耗低、速度提升潜力大和抗干扰能力强而备受青睐,但是异步电路设计复杂,数据的跨时钟域传输是亟需解决的问题。国际上目前最流行的方式是FIFO,但随着SoC复杂度的提升...
关键词：片上系统 FPGA 跨时钟域 FIFO 
65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
《原子能科学技术》2017年第5期909-915,共7页李丽丽 郭刚 蔡莉 池雅庆 刘建成 史淑廷 惠宁 韩金华 
国家自然科学基金资助项目(11475272)
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单...
关键词：多位翻转 静态随机存储器 三阱 双极效应 重离子 
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