基于多场限环终端与结终端扩展技术的新型复合终端结构的研究  

作　　者：陈志盛 廖淋圆 曾荣周 吴振珲 阳治雄 

机构地区：[1]湖南工业大学轨道交通学院,湖南株洲412007

出　　处：《光源与照明》2023年第9期59-61,共3页Lamps & Lighting

基　　金：湖南省学位与研究生教育改革项目“电子信息专业研究生校企联合培养机制的研究”(2020JGYB206)。

摘　　要：击穿电压是衡量功率器件性能的一个重要指标,场限环终端结构能有效提高PIN二极管的击穿电压,文章基于FLR终端结构基础,在每个场限环的边缘引入JTE扩展层,提出了一种新型复合终端结构的PIN二极管,研究了NCT结构PIN对击穿电压和电场分布的影响,通过场限环边缘的JTE层,减弱P+N主结的电场集中效应。Sentaurus-TCAD仿真软件结果表明,NCT结构的PIN二极管的击穿电压为1 063 V,与FLR终端结构相比提高了10.1%,而导通电流几乎一致,Baliga优值提高了21.1%,通过增加一步离子注入的操作,有效提高了PIN的击穿电压。

关 键 词：PIN二极管 终端结构 击穿电压 电场分布 

分 类 号：TM714.2[电气工程—电力系统及自动化] TN312.4[电子电信—物理电子学]