温景超

作品数：1被引量：6H指数：1
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国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究被引量：6
《物理学报》2012年第17期403-409,共7页高博 刘刚 王立新 韩郑生 张彦飞 王春林 温景超 
研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应,探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系.实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标,满足...
关键词：VDMOS 总剂量 辐射效应 退火 
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