半导体器件金铝键合的寿命研究  

Study on the Lifetime of Gold-Aluminum Bonding in Semiconductor Devices

作　　者：王路璐[1] 李洵[1] 高博[1] 王立新[1] 罗家俊[1] 韩郑生[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《微电子学》2015年第6期800-803,共4页Microelectronics

基　　金：湖北大学校基金资助项目(095181)

摘　　要：金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,接触电阻升高。针对这种失效模式,进行了三种不同高温条件下的加速寿命试验,并对这三种试验的器件进行金铝键合现象观察,对目前工艺水平下的金铝键合寿命进行了评估。The gold-aluminum bond failure is one of the most failure modes for MOSFET devices. The failure mode is mainly caused by the Au-Al intermetallic compounds （IMC） growth. The IMC growth makes the bonding strength decrease and the contact resistance increase. Aimed to study the Au-Al bonding failure mode, the accelerated life tests were conducted under three temperature conditions. After the tests, the life model was constructed by the arrbenius model and the bond lifetime was predicted.

关 键 词：金铝键合 可靠性 加速试验 寿命预测 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学] TN305.93