阈电压

作品数：25被引量：38H指数：3
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强锚定扭曲向列相液晶的一种弗雷德里克兹转变被引量：2
《科技创新导报》2015年第21期1-2,共2页丁兰 
以强锚定条件下扭曲向列相液晶的三类弗雷德里克兹转变为基础,研究了一种液晶分子在扭曲和旋转共同作用下的弗雷德里克兹转变。通过对液晶盒内自由能密度的讨论,得到该种弗雷德里克兹转变的阈值电压表达式,并分析对阈值电压影响较大的...
关键词：扭曲向列相 弗雷德里克兹转变 阈电压 
射气-闪烁法测定地下热水的镭-226和氡-222浓度被引量：7
《地球科学与环境学报》2014年第4期127-133,共7页李婷 周训 龙汨 王晓翠 陈婷 李婧玮 杨苗林 
国家自然科学基金项目(40972163);中央高校基本科研业务费专项资金项目(2652014089;2652013085)
地下热水中放射性浓度较高的226 Ra 和222 Rn 对于研究地下热水的形成和循环具有重要的意义.阐明了实验室测定地下热水226 Ra 和222 Rn 放射性浓度的射气闪烁法的仪器组成、测试原理、测试步骤、水样前处理和结果换算,讨论了在测试过程...
关键词：地下热水 镭 氡 氡钍分析仪 阈电压 校正因子 回收率 
MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究被引量：7
《电子设计工程》2009年第9期65-67,共3页赵秋 曲振江 
并联应用时MOSFET管会产生电流分配不匀的现象,为减小此问题造成的不良影响,只能通过实验确定有关的电路参数。这里用数学方法详细分析MOSFET管的特性参数和电路参数对静态和动态漏极电流分配不匀的影响,推导出反映漏极电流分配不匀程...
关键词：功率MOSFET管 并联应用 电流分配 栅阈电压 
场效应管X射线剂量增强的实验测量被引量：3
《中国测试技术》2008年第5期95-97,共3页牟维兵 徐曦 杨勇 
为了实验精确测量场效应管的X射线剂量增强系数,介绍了如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置,以及实验测量的详细过程。得到了两种不同类型场效应管的辐照数据,根据实验数据计算了其剂量增强系数。剂量增强效应十分明显,IR...
关键词：场效应管 X射线 剂量增强 实验测量 阈电压 
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析被引量：1
《核技术》2006年第9期665-669,共5页李爱武 余学峰 任迪远 汪东 匡治兵 刘刚 
本文采用统计分析的方法对大样本互补型金属-氧化物-半导体器件(CMOS)CC4069电路辐照前后的数据进行了处理。比较了研究变量的晶体管阈电压值在辐照前和累积一定辐照剂量后的标准差及统计分布,研究了样品阈电压漂移值的分布规律,由此对...
关键词：互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件 总剂量辐照 阈电压 统计 
P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究被引量：5
《强激光与粒子束》2005年第2期309-312,共4页牟维兵 徐曦 
国防科技基础研究基金资助课题
通过对P沟道MOS场效应管 IRF9530和 N沟道 MOS场效应管 IRF540N的 X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系。产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量...
关键词：场效应管 吸收剂量 阈电压 
不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应被引量：3
《固体电子学研究与进展》2005年第1期29-34,共6页张华林 任迪远 陆妩 崔帅 
研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效...
关键词：剂量率效应 NPN管 NMOS管 增益 阈电压 
注F^+NMOSFET的电离辐照与退火特性被引量：1
《核技术》2004年第8期586-589,共4页崔帅 余学峰 任迪远 张华林 
比较了CC4007电路栅介质中注F1和未注F1的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F1的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能。表现为在同样辐照偏置下注F1器件比未注F1器件的阈电压漂移小,辐照...
关键词：辐照 注F′ NMOS 阈电压 退火 可靠性 
PMOS剂量计的长期室温退火
《核技术》2000年第9期642-645,共4页范隆 严荣良 张国强 余学锋 陆妩 郭旗 赵元富 
中国科学院院长基金
为掌握ＰＭＯＳ剂量计的应用方式并提高其应用精度，研究了ＰＭＯＳ剂量计的辐照剂量记录－阈电压在室温下的长期退火表现。结果表明：氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因，ＰＭＯＳ剂量计辐照及贮藏偏置是决定...
关键词：PMOS剂量计 阈电压 室温退火 辐射剂量测量 
场效应管设计
《山东电子》1998年第4期28-29,共2页郭晓丽 张宝才 马瑞芬 
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
关键词：场效应管 阈电压 输入阻抗 击穿电压 设计 
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