崔帅

作品数：4被引量：26H指数：2
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供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文主题：双极晶体管剂量率电离辐照效应空间电荷电离辐射效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微电子学》更多>>
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不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应被引量：3
《固体电子学研究与进展》2005年第1期29-34,共6页张华林 任迪远 陆妩 崔帅 
研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效...
关键词：剂量率效应 NPN管 NMOS管 增益 阈电压 
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第1期111-114,共4页崔帅 余学峰 任迪远 张华林 艾尔肯 
对注F和未注FCC4 0 0 7器件在 10 0℃高温老化后的Co60 辐照特性进行了研究 .研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累 ,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的...
关键词：预先老化 辐照 注F 可靠性 
不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响被引量：8
《微电子学》2004年第6期606-608,共3页张华林 陆妩 任迪远 崔帅 
　对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关...
关键词：双极晶体管 偏置 剂量率 电离辐照 
双极晶体管的低剂量率电离辐射效应被引量：20
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1675-1679,共5页张华林 陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 何承发 艾尔肯 崔帅 
通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量...
关键词：低剂量率 电离辐射 双极晶体管 空间电荷 
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