匡治兵

作品数：5被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
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双极晶体管不同温度的退火效应与机理被引量：1
《核电子学与探测技术》2007年第1期150-153,共4页汪东 陆妩 任迪远 李爱武 匡治兵 张华林 
研究了双极晶体管不同温度下的退火效应,发现双极晶体管的退火与温度有关,而且不同类型晶体管的退火效应是有差异的,最后文章讨论了其中可能的内在机制。
关键词：双极晶体管 退火效应 界面态 
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析被引量：1
《核技术》2006年第9期665-669,共5页李爱武 余学峰 任迪远 汪东 匡治兵 刘刚 
本文采用统计分析的方法对大样本互补型金属-氧化物-半导体器件(CMOS)CC4069电路辐照前后的数据进行了处理。比较了研究变量的晶体管阈电压值在辐照前和累积一定辐照剂量后的标准差及统计分布,研究了样品阈电压漂移值的分布规律,由此对...
关键词：互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件 总剂量辐照 阈电压 统计 
CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究被引量：2
《核电子学与探测技术》2006年第4期470-473,495,共5页李爱武 余学峰 任迪远 汪东 匡治兵 牛振红 
预辐照筛选成功的关键取决于预辐照后器件损伤的可恢复性及再次辐照时器件损伤的可重复性。通过对CMOS器件进行大量不同条件下的60Coγ总剂量辐照实验和退火实验,探讨了能使器件预辐照后的损伤得到尽可能大地恢复的辐照、特别是退火条件...
关键词：CMOS 预辐照 筛选 退火 
80C31单片机电路总剂量效应研究被引量：1
《微电子学》2005年第6期584-586,590,共4页匡治兵 郭旗 任迪远 李爱武 汪东 
研究了80C31单片机电路在60Coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照后其电离辐照敏感参数在室温和100℃高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐射损伤的机理。
关键词：单片机 ^60Coγ辐照 辐射损伤 退火 
大规模存储器电离辐射试验方法被引量：1
《微电子学》2005年第5期489-492,共4页匡治兵 郭旗 吾勤之 任迪远 陆妩 
提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器(Flash ROM)的60Coγ总剂量效应,以及辐照后在100℃高温条件下退火的实验结果。对实验现象进行了分析。
关键词：测试方法 电离辐射 总剂量效应 存储器 
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