云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 孙江超

孙江超: 作品数：5被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：北京工业大学更多>>; 发文主题：双极晶体管线性稳压器总剂量效应发射区发射极更多>>; 发文领域：电子电信电气工程核科学技术更多>>; 发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《核技术》更多>>

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不同工艺线性稳压器电离辐射效应及退火特性被引量：1: 《微电子学》2014年第2期253-255,259,共4页孙江超张小玲张彦秀谢雪松吕曼吕长志; 研究掺氯氧化+PE钝化、无氯氧化+PE钝化、掺氯氧化+BPSG钝化三种不同工艺线性稳压器的电离辐照响应及退火特性。实验结果发现,掺氯氧化+BPSG钝化工艺样品比其他两种工艺电离损伤明显减小,具有较强的抑制电离辐射损伤的能力。退火实验表...; 关键词：线性稳压器电离辐射损伤 BPSG钝化辐射加固

国产线性稳压器电离总剂量效应及损伤研究: 《微电子学》2013年第5期719-722,共4页孙江超张小玲张彦秀谢雪松吕曼吕长志; 选择国产三端可调正输出稳压器进行60Co-γ电离辐照实验,研究其电离总剂量效应及损伤变化规律。实验结果发现,基准电压、电压调整率、电流调整率、纹波抑制比是敏感参数,在电离辐射环境中发生明显的退化。结合电路结构,分析了敏感参数...; 关键词：线性稳压器总剂量效应辐射损伤

不同发射结深LPNP晶体管的抗辐照性能研究被引量：1: 《微电子学》2013年第4期564-567,共4页吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超陈成菊吕长志; 双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加。工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同,浅发射结LPNP的抗辐照性能更强。由于离子注入前氧化层的影响,厚氧化层形成的浅发射结LPNP具有更少的注...; 关键词：横向PNP 双极晶体管总剂量辐照

BPSG膜双极晶体管的抗电离辐照性能研究: 《核技术》2013年第6期19-23,共5页吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超王鹏鹏吕长志; 对SiO2+BPSG+SiO2钝化结构和SiO2+SiN钝化结构的双极晶体管和JW117集成稳压器进行了60Co的γ辐照和不同温度下退火行为研究。结果表明,覆盖BPSG钝化膜的器件抗辐照性能明显强于SiN钝化膜的器件。BPSG对Na+具有很好的吸收作用,SiO2层中的...; 关键词：BPSG 钝化层电离辐照退火

不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应被引量：2: 《半导体技术》2013年第3期222-226,共5页吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超王鹏鹏吕长志; 对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素。实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂...; 关键词：双极晶体管发射极周长面积比电离辐射总剂量退火

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