双注入

作品数：53被引量：57H指数：4
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相关作者：张通和吴瑜光王晓妍查鲲鹏温家良更多>>
相关机构：北京师范大学南昌大学中国科学院上海冶金研究所湖南大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《北京师范大学学报（自然科学版）》《电网技术》《实验与分析》更多>>
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界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响
《半导体技术》2023年第4期294-300,323,共8页高秀秀 王勇志 胡兴豪 周维 刘洪伟 戴小平 
国家科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426582)。
为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真...
关键词：4H-SIC 双注入MOSFET(DIMOSFET) 界面陷阱 准静态电容-电压(C-V)特性 可动离子 
氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1
《半导体技术》2022年第3期217-221,236,共6页高秀秀 柯攀 戴小平 
湖南省科技创新计划项目(2018XK2202)。
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175...
关键词：4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱 沟道迁移率 库仑散射 温度指数 TCAD仿真 
互动
《羽毛球》2020年第2期111-111,共1页
《姜京珍:为国羽女双注入新元素》近来,国羽女双组的姑娘们越来越流行说"韩普"(韩式普通话)。而带起这股潮流的源头,正是已经和她们朝夕相处了3个半月的韩籍教练姜京珍。(2019年12月30日,《羽毛球》微信公众号)伯明顿这个方便学韩语!祝...
关键词：微信公众号 新元素 羽毛球 双注入 教练 竞争力 新的活力 
6.5 kV,5 A 4H-SiC 功率 DMOSFET器件
《固体电子学研究与进展》2019年第2期81-85,共5页杨立杰 李士颜 刘昊 黄润华 李赟 柏松 
报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×10^(15) cm^(-3)的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果。器件击穿电压大于6.5 kV,导通电流大于5 A,相对于之前的报道结果,器件导通能力提升了25倍。器件采用由55根环组成的,450μm宽的浮空场...
关键词：SiC功率双注入金属氧化物半导体场效应晶体管 阻断电压 比导通电阻 
水中铅、镉、铜的测定 双注入连续进样和GFAAS法联用分析
《实验与分析》2014年第3期32-33,共2页张海蓉 李晓丽 
本文采用双孔注入连续进样石墨炉原子吸收光谱法测定水中重金属铅、镉、铜的含量。通过硝酸和过氧化氢消解．以双孔注入法进行检测，峰高模式计算。此法具有灵敏度高、精密度高、回收率满足痕量元素分析准确度要求等优点。
关键词：重金属铅 GFAAS法 联用分析 测定 进样 石墨炉原子吸收光谱法 双注入 痕量元素分析 
银离子注入与银/铜离子双注入ABS树脂抗菌性能研究被引量：3
《塑料工业》2014年第8期122-126,共5页李崇 覃礼钊 向友来 梁凯 吴先映 梁宏 李庆 孙佳 王浩琦 
西南大学"国家级大学生创新创业训练"项目(201310635040);西南大学第六届本科生科技创新项目(1223001);射线束技术与材料改性教育部重点实验室开放资助项目(201215);重庆市自然科学重点基金项目(cStc2012jjB50011)
用金属蒸汽真空弧源(MEVVA)分别对丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)树脂进行银离子注入与银铜离子双注入,加速电压均为30 kV,注入剂量均为1×1016cm-2。通过抗菌实验表明,银离子注入样品与银铜离子双注入样品均表现出优良的抗菌性能,但...
关键词：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物 离子注入 银离子 铜离子 抗菌性能 
Ta和Ag离子双注入Ti6Al4V合金抗Hank’s溶液腐蚀性能研究
《真空科学与技术学报》2013年第1期18-23,共6页冷崇燕 周荣 张旭 
射线束技术与材料改性教育部重点实验室开放基金项目(0604)
采用Ta和Ag离子双注入对医用Ti6Al4V合金进行表面改性,以Ta离子1.5×1017ions/cm2先注入,Ag离子1×1017ions/cm2后注入合金样品表面。采用动电位极化曲线研究Ta+Ag离子双注入前后Ti6Al4V合金抗Hank′s溶液腐蚀性能,利用小角掠射X射线衍...
关键词：TI6AL4V 离子双注入 抗腐蚀性能 表面改性 
特高压直流输电晶闸管阀成套运行试验装置研制被引量：9
《电网技术》2010年第8期1-5,共5页温家良 查鲲鹏 高冲 姚广平 张新刚 汤广福 
"十一五"国家科技支撑计划重大项目(2006BAA02A27);国家电网公司科技项目(SGKJ[2007]107);国家自然科学基金项目(50677064)~~
成套运行型式试验装置是实现特高压直流输电(ultra high voltage direct current transmission,UHVDC)晶闸管阀研发和工程应用的基础和前提条件,在遵循IEC60700-1标准,在调研现有相关试验装置和比较试验方法的基础上,研制一套采用双注...
关键词：特高压直流输电 晶闸管阀 运行试验装置 双注入法 合成试验方法 
双注入双芯非线性光纤耦合器的开关特性分析
《江苏科技大学学报（自然科学版）》2010年第4期414-416,共3页周青春 曾小祥 
江苏省高校自然科学基金资助项目(08KJD140008);江苏科技大学人才基金资助项目(2006SL126J)
利用Lagrange变分法,导出了双芯非线性光纤耦合器中宽度可变的双曲正割型类孤子脉冲传播过程中参量满足的微分方程组,通过势函数图像,讨论了双芯同时注入孤子脉冲条件下耦合器的开关性质.结果表明,当输入的两基孤子脉冲一强一弱时,初始...
关键词：变分法 光孤子 开关效应 非线性光纤 
静电感应晶闸管的负阻转折特性分析
《半导体技术》2009年第11期1088-1091,共4页张荣 刘肃 李海蓉 
描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综...
关键词：静电感应晶闸管 负阻转折特性 双注入 高电平 复合效应 
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