静电感应晶闸管的负阻转折特性  

Research of SITH's Negative-Resistance Characteristic

作　　者：唐莹[1] 刘肃[1] 李思渊[1] 胡冬青[1] 常鹏[1] 杨涛[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所,兰州730000

出　　处：《电子器件》2007年第1期54-56,共3页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：甘肃省自然科学基金资助项目(3ZS051-A25-034)

摘　　要：针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.A new method is proposed to research SITH＇s negative-resistance characteristic. Considering the working mechanism of SITH, two carriers injection effect and the varieties of carrier lifetime, we analyze SITH＇s negative resistance characteristic and calculate the hreakover voltage and current.

关 键 词：SITH 负阻转折特性 少子寿命 大注入 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]