台面刻蚀

作品数：7被引量：26H指数：3
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相关期刊：《兰州大学学报（自然科学版）》《红外》《半导体技术》《现代电子技术》更多>>
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低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究
《红外》2023年第3期1-7,共7页李景峰 刘铭 李海燕 温涛 赵成城 王丹 
采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤,影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。首先建立一种损伤评判机制,判断现有工艺刻蚀后材料是否...
关键词：Ⅱ类超晶格 低损伤 刻蚀技术 
InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究被引量：6
《激光与红外》2016年第1期72-75,共4页谭振 亢喆 李海燕 
传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得...
关键词：电感耦合等离子体(ICP) 锑化铟 台面刻蚀 刻蚀速率 刻蚀形貌 
台槽刻蚀对埋栅型静电感应晶体管特性的影响
《现代电子技术》2012年第8期175-178,共4页朱筠 
甘肃省自然科学基金(3ZS051-A24-034)
对埋栅型SIT,为切断栅极和源极(或阴极)之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进行研究;为消除栅墙外划片边界造成的各种寄生效应,在有源区的外面挖深槽,以保证栅源击穿发生在内部、实...
关键词：埋栅型SIT 台面刻蚀 深槽刻蚀 先台后槽 
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
《半导体技术》2009年第6期546-548,共3页岳红菊 刘肃 王永顺 李海蓉 
针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴...
关键词：静电感应晶闸管 埋栅结构 台面刻蚀 栅阴击穿 表面缺陷 
双色碲镉汞红外焦平面探测器发展现状被引量：9
《激光与红外》2009年第4期367-371,共5页王成刚 孙浩 李敬国 朱西安 
主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结构进行了阐述说明。
关键词：碲镉汞 红外焦平面阵列 双色探测器 分子束外延 台面刻蚀 
InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究被引量：8
《微纳电子技术》2008年第5期298-301,共4页陈慧娟 郭杰 丁嘉欣 鲁正雄 彭振宇 孙维国 
研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速...
关键词：砷化铟/锑化镓 超晶格 化学湿法腐蚀 台面刻蚀 溶液配比 
台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响被引量：3
《兰州大学学报（自然科学版）》2005年第2期92-94,共3页拥冬青 李思渊 王永顺 
分析了台面刻蚀程度对埋栅型STTHⅠ-Ⅴ特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻...
关键词：静电感应晶闸管 台面刻蚀 I-V特性 
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