深槽刻蚀

作品数：21被引量：53H指数：5
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650 V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究
《安徽师范大学学报（自然科学版）》2024年第1期27-32,共6页赵勇 
国网江苏省电力有限公司科技项目(J2020111).
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求...
关键词：超结MOSFET 工艺仿真 深槽刻蚀填充技术 半导体 
4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善
《固体电子学研究与进展》2022年第3期239-243,共5页董志华 刘辉 曾春红 张璇 孙玉华 崔奇 程知群 张宝顺 
国家自然科学基金青年科学基金资助课题(61804166)。
采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以...
关键词：碳化硅 深刻蚀 微沟槽 侧壁粗糙度 
多层圆片级堆叠THz硅微波导结构的制作被引量：4
《微纳电子技术》2020年第4期328-332,共5页杨志 董春晖 柏航 姚仕森 程钰间 
基于微电子机械系统(MEMS)工艺,提出一种多层圆片堆叠的THz硅微波导结构及其制作方法。为了验证该结构在制作THz无源器件中的优势,基于6层圆片堆叠的硅微波导结构,设计了一种中心频率365 GHz、带宽80 GHz的功率分配/合成结构,并对其进...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 太赫兹(THz) 波导 硅深槽刻蚀 热压键合 
IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究
《赣南师范大学学报》2019年第6期58-61,共4页袁寿财 韩建强 荣垂才 武华 李梦超 王兴权 
国家自然科学基金项目(51377025);江西省科技厅基金项目(20171BAB202037)。
硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓...
关键词：低压化学气相淀积 氮化硅 硅槽 刻蚀 
基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究
《电子技术应用》2018年第10期32-36,40,共6页张海华 吕玉菲 鲁中轩 
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS...
关键词：CMOS-MEMS工艺 高深宽比 深槽刻蚀 RIE和Bosch工艺 
深槽刻蚀工艺参数及干法清洗工艺的研究被引量：2
《中国集成电路》2018年第5期55-59,89,共6页周浩 罗燕飞 高周妙 闻永祥 李志栓 方佼 季锋 
本文研究了博世(Bosch)工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数(包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极(Source)功率、下电极偏压(bias)功率、C4F8钝化切换时间)研究其对刻蚀速率、选择比及刻蚀形貌的影响,得到了...
关键词：博世工艺 深槽刻蚀 清洗工艺 微机械系统 
深槽刻蚀侧壁平坦化技术被引量：2
《半导体技术》2016年第5期390-393,共4页於广军 杨彦涛 闻永祥 李志栓 方佼 马志坚 
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02310)
介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,...
关键词：深槽刻蚀(DRIE) 扇贝褶皱 博世工艺 线性氧化 光滑侧壁 
SOI深槽刻蚀Notching效应的研究被引量：2
《中国集成电路》2015年第10期61-64,共4页於广军 闻永祥 方佼 李志栓 
本文研究了高频(13.56 MHz)和低频(380 KHz)深槽刻蚀机,对SOI硅片深槽刻蚀横向切口(notching)效应的影响。结果表明:过刻蚀量(OE)在20%时,高频设备发生notching现象,但是随着槽尺寸的增大,notching的横向刻蚀量呈线性下降;低频设备在OE...
关键词：横向切口效应 深槽刻蚀 低频偏压 微机械系统 
台槽刻蚀对埋栅型静电感应晶体管特性的影响
《现代电子技术》2012年第8期175-178,共4页朱筠 
甘肃省自然科学基金(3ZS051-A24-034)
对埋栅型SIT,为切断栅极和源极(或阴极)之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进行研究;为消除栅墙外划片边界造成的各种寄生效应,在有源区的外面挖深槽,以保证栅源击穿发生在内部、实...
关键词：埋栅型SIT 台面刻蚀 深槽刻蚀 先台后槽 
ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究
《集成电路通讯》2011年第4期1-5,共5页黄斌 陈璞 吕东锋 郭群英 
等离子硅深槽刻蚀中，反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量，通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进，有效的降低了等离子的反射密度和能量，大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响，为底部掏蚀问题提...
关键词：深槽刻蚀 结构释放 Log效应 掏蚀 
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