黄斌

作品数:6被引量:6H指数:1
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发文主题:保护环漂移特性分析MEMS加速度计SOI材料更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术轻工技术与工程更多>>
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一种悬臂梁厚度可控的制作方法被引量:1
《集成电路通讯》2013年第3期25-29,共5页王文婧 黄斌 陈璞 庄须叶 
针对湿法腐蚀加速度计悬臂梁时出现的梁厚度不均匀性问题,采取项层硅可定制的SOI材料制作出梁厚度均匀性一致的器件;采用干法刻蚀工艺减小结构开窗面积提高了产量。针对干法刻蚀中出现的负载效应和footing效应对结构层的厚度和形貌的...
关键词:SOI材料干法刻蚀结构厚度footing效应 
“三明治”MEMS加速度计的设计与分析被引量:1
《集成电路通讯》2013年第2期1-10,共10页王鹏 徐栋 何凯旋 王文婧 陈博 陈璞 黄斌 
基于体硅微机械加工技术,设计分析了一种抗冲击“三明治”电容式MEMS加速度计。利用敏感质量块与固定电极构成电容差分结构,在有效提高加速度计灵敏度的同时,减小了寄生电容的干扰,提高了加速度计的测量精度,并对悬臂梁的抗冲击性...
关键词:电容加速度计 “三明治”结构 抗冲击 灵敏度 
硅-硅直接键合技术及其在三明治电容加速度计中的应用
《集成电路通讯》2013年第1期1-8,共8页何凯旋 陈博 王文婧 王鹏 陈璞 黄斌 郭群英 
硅硅直接键合技术在MEMS工艺中占有极其重要的地位,特别在高精度加速度计、陀螺等复杂三维结构的实现,以及晶圆级真空封装方面都有重要应用。通过大量工艺实验,获得的最佳的键合工艺流程,可使4英寸硅片键合面积达98%。将硅硅直接...
关键词:MEMS 硅硅直接键合 三明治电容加速度计 
硅漂移探测器结构设计与探测特性分析被引量:3
《集成电路通讯》2012年第2期4-9,共6页王文婧 陈博 陈璞 黄斌 
硅漂移探测器(SiliconDriftDetector,SDD)是一种通过光电效应探测光信号的器件。主要用于射线探测。在SDD的结构设计中,采用螺旋型漂移环结构作为内集成电阻分压器以形成阶梯式侧向漂移电场,采用多保护环结构来降低边缘击穿效应,...
关键词:SDD 螺旋型漂移环 保护环 漂移电场 
化学机械抛光技术研究被引量:1
《集成电路通讯》2012年第1期25-30,共6页陈璞 黄斌 王文婧 陈博 
化学机械抛光技术是半导体制造工艺和MEMS制造工艺中一项重要的基础技术。化学机械抛光技术所采用的设备主要抛光设备、清洗设备、检测设备、工艺控制设备等。影响化学机械抛光速率的因素主要有磨盘温度、转速、抛光液配比、流量等。化...
关键词:化学机械抛光 抛光液 吸附效应 
ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究
《集成电路通讯》2011年第4期1-5,共5页黄斌 陈璞 吕东锋 郭群英 
等离子硅深槽刻蚀中,反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量,通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进,有效的降低了等离子的反射密度和能量,大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响,为底部掏蚀问题提...
关键词:深槽刻蚀 结构释放 Log效应 掏蚀 
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