ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究  

作　　者：黄斌[1] 陈璞[1] 吕东锋[1] 郭群英[1] 

机构地区：[1]北方通用电子集团有限公司微电子部,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2011年第4期1-5,共5页

摘　　要：等离子硅深槽刻蚀中，反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量，通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进，有效的降低了等离子的反射密度和能量，大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响，为底部掏蚀问题提供了一种可供参考的解决方案。

关 键 词：深槽刻蚀 结构释放 Log效应 掏蚀 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]