朱延超

作品数：3被引量：10H指数：1
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发文主题：I-V特性SIT静电感应晶体管ZETA电位PH值更多>>
发文领域：电子电信化学工程理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《材料工程》《兰州大学学报（自然科学版）》更多>>
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基于载流子双极输运的二极管电流模型
《兰州大学学报（自然科学版）》2013年第6期833-837,共5页朱延超 杨建红 
讨论在考虑过剩多子、双极漂移、双极扩散以及丹倍电场作用下p-n结载流子的输运问题.采用不同于传统肖克莱理论的方法,从过剩多子角度入手,以长基区p+-n结的n型准中性区为例,研究了其中的载流子输运.在考虑双极扩散和双极漂移过程后,指...
关键词：P-N结 过剩多子 双极输运 丹倍电场 多子漂移电流 
纳米碳化硅颗粒的团聚及分散的研究进展被引量：10
《材料工程》2013年第9期84-90,共7页刘亚虎 蔡雪原 朱延超 张琳娇 杨建红 
介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电...
关键词：纳米碳化硅 团聚 分散剂 PH值 黏度 ZETA电位 
短漂移区静电感应晶体管的特性研究
《半导体技术》2013年第3期194-198,共5页张琳娇 杨建红 刘亚虎 朱延超 
为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常...
关键词：静电感应晶体管(SIT) 短漂移区 势垒 I-V特性 响应时间 
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