张岚

作品数：10被引量：10H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：金属有机化合物气相淀积MOCVD生长SEM4H-SICALGAN/GAN更多>>
发文领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《电子工业专用设备》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期608-610,共3页李忠辉 李亮 董逊 李赟 张岚 许晓军 姜文海 陈辰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2007012);国家自然科学基金资助项目(60807038)
利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 
75mm 4°偏轴4H-SiC水平热壁式CVD外延生长被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1347-1349,共3页李哲洋 董逊 张岚 陈刚 柏松 陈辰 
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形貌.通过...
关键词：水平热壁式CVD 4H-SIC 同质外延 均匀性 
用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：3
《太阳能学报》2006年第5期433-435,共3页黄子乾 李肖 潘彬 张岚 
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高...
关键词：金属有机化合物气相淀积 GaInP/GaAs双结叠层太阳电池 隧穿结 掺杂技术 
4H-SiC同质外延中的缺陷被引量：1
《电子工业专用设备》2005年第11期62-64,74,共4页李哲洋 刘六亭 董逊 张岚 许晓军 柏松 
从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长。外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微镜表征方法探讨了CVD法4H-SiC同质外延中的位错、微管和孪晶等缺...
关键词：4H-SIC LPCVD 同质外延 微管 位错 SEM 
用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
《固体电子学研究与进展》2005年第2期269-270,279,共3页王向武 黄子乾 潘彬 李肖 张岚 
通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 四氯化碳掺杂 
MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第4期546-548,共3页王向武 李肖 张岚 黄子乾 潘彬 
分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1...
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 结偏位 
碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
《固体电子学研究与进展》2004年第2期219-222,共4页王向武 张岚 黄子乾 潘彬 李肖 李忠辉 
用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W...
关键词：金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器 
重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2001年第3期334-338,共5页王向武 程祺祥 张岚 
采用 CCl4 作为碳掺杂源 ,进行了重掺碳 Ga As层的 L P- MOCVD生长 ,并且对掺杂特性进行了研究 ,研究了各生长参数对掺杂的影响。CCl4 流量是决定掺杂浓度的主要因素。减小生长温度、减小 / 比、降低生长压力 ,都能较大的提高掺杂浓...
关键词：金属有机化合物气相沉积 砷化镓 碳掺杂 
聚甲基丙烯酸甲酯LB膜用作高分辨率电子束抗蚀层的研究
《电子科学学刊》1994年第6期651-654,共4页鲁武 顾宁 韦钰 沈浩瀛 张岚 
应用LB技术制备了厚度为20—100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日立S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMALB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的...
关键词：LB膜 电子束刻蚀 抗蚀剂 PMMA 电子器件 
扫描电镜电子束纳米刻蚀
《东南大学学报（自然科学版）》1994年第1期117-119,共3页鲁武 顾宁 陆祖宏 韦钰 沈浩赢 张岚 
扫描电镜电子束纳米刻蚀鲁武，顾宁，陆祖宏，韦钰（东南大学分子与生物分子电子学实验室，南京２１００１８）沈浩赢，张岚（南京电子器件研究所，南京２１００１６）随着超大规模集成电路集成度的提高，尤其是某些特种器件如高电子迁...
关键词：SEM 电子束 刻蚀 VLSI 纳米量级 
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