金属有机化合物气相淀积

作品数：20被引量：40H指数：4
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精确测定In_xGa_(1-x)N晶体薄膜中铟含量的卢瑟福背散射法研究被引量：1
《中国测试》2017年第3期15-18,57,共5页王雪蓉 刘运传 孟祥艳 周燕萍 王康 王倩倩 
国防基础科研项目(J092009A001)
采用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)在蓝宝石上生长InxGa1-xN/Ga N晶体薄膜,Ga N缓冲层的厚度为2.5μm,InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800 nm,通过光致发光光谱仪测量样品发光峰的峰值,确定铟镓氮晶体薄膜中铟分布的均匀性,取样品均匀...
关键词：氮铟镓 金属有机化合物气相淀积法 卢瑟福背散射 测量不确定度 
GaAs平面掺杂势垒二极管
《半导体技术》2017年第1期27-31,共5页张宇 车相辉 于浩 宁吉丰 杨中月 杨实 陈宏泰 
二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOC...
关键词：平面掺杂势垒(PDB)二极管 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 开启电压 I-V特性 定向检波器 检波灵敏度 
Al_xGa_(1-x)N晶体薄膜中铝含量的卢瑟福背散射精确测定被引量：6
《物理学报》2013年第16期70-74,共5页刘运传 周燕萍 王雪蓉 孟祥艳 段剑 郑会保 
国防基础科研计划(批准号:J092009A001)资助的课题~~
采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层大约20nm厚的AlN缓冲层,在缓冲层上生长大约2μm厚、晶体质量良好的AlxGa1-xN外延层,通过深紫外光致发光法测量发光峰的能量Eg判断外延层中铝含量的均匀性,取样品均匀...
关键词：氮铝镓 卢瑟福背散射 测量不确定度 金属有机化合物气相淀积法 
900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究被引量：5
《微纳电子技术》2010年第7期397-400,共4页林琳 陈宏泰 安志民 车相辉 王晶 
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了...
关键词：三叠层 隧道结 半导体激光器 扩展波导 金属有机化合物气相淀积 结构优化 Δ掺杂 
OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究
《半导体技术》2009年第10期998-1001,共4页黄祖炎 韦欣 王青 宋国峰 
国家自然科学基金重点项目(60636030)
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较...
关键词：垂直外腔面发射激光器 金属有机化合物气相淀积 反射谱 纵向增强因子 
关于LED单灯正向电压V_F不良的探讨被引量：1
《电子与封装》2008年第1期12-15,共4页斯芳虎 
文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间...
关键词：正向电压 外延层 欧姆接触 电流扩展 金属有机化合物气相淀积 PN结 
具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备被引量：1
《功能材料与器件学报》2006年第3期207-210,共4页盖红星 邓军 廉鹏 俞波 李建军 韩军 陈建新 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(No.60276033No.69889601);国家863高技术计划资助项目(No.2002AA312070);国家973计划资助项目(No.G20000683-02);北京市自然科学基金资助项目(No.4021001);北京市教委资助项目(No.01kJ-014)
应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率。应用原子力显微镜对所制备的DBR表面...
关键词：布拉格反射镜 金属有机化合物气相淀积 原子力显微镜 ALGAAS 
用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：3
《太阳能学报》2006年第5期433-435,共3页黄子乾 李肖 潘彬 张岚 
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高...
关键词：金属有机化合物气相淀积 GaInP/GaAs双结叠层太阳电池 隧穿结 掺杂技术 
900 nm窄发散角量子阱激光器被引量：4
《光电子．激光》2006年第3期299-301,共3页田海涛 陆中宏 赵润 韩威 陈国鹰 花吉珍 
使用传输矩阵方法模拟光场特性,设计了带有模式扩展层的900nm窄发散角量子阱激光器(LD),利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了器件。垂直方向远场发散角由常规结构LD的35°减小为20°,且阈值电流和光限制因子都没有明显变化。
关键词：传输矩阵 量子阱激光器(LD) 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 
用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
《固体电子学研究与进展》2005年第2期269-270,279,共3页王向武 黄子乾 潘彬 李肖 张岚 
通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 四氯化碳掺杂 
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