王青

作品数：16被引量：37H指数：4
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：垂直腔面发射激光器高功率热沉反射谱面发射激光器更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《光电子．激光》《红外与激光工程》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
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表面等离子激元调制的亚波长束斑半导体激光器被引量：2
《物理学报》2010年第7期5105-5109,共5页宋国峰 汪卫敏 蔡利康 郭宝山 王青 徐云 韦欣 刘运涛 
国家自然科学基金(批准号:60876049;60906028)资助的课题~~
近场有源探针可以解决近场光学扫描显微镜等应用中对高亮度和高光功率的需求.提出一种制备具有表面等离子激元结构的微纳束斑的半导体激光器的设计方案.模拟分析表明,此激光器在3.5μm的远场仍然可以获得小于波长的束斑,并且其输出功率...
关键词：表面等离子激元 半导体激光器 有源探针 
高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性被引量：6
《红外与激光工程》2010年第1期57-60,共4页何国荣 沈文娟 王青 郑婉华 陈良惠 
国家自然科学基金资助项目(60837001);信息学院青年自然科学基金项目(QN-08011)
应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点。首次介绍了国内980nm高功率InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的变温实验,测得脉冲条件下600μm直径的器件在10～100℃温...
关键词：垂直腔面发射激光器 高功率 应变补偿 
OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究
《半导体技术》2009年第10期998-1001,共4页黄祖炎 韦欣 王青 宋国峰 
国家自然科学基金重点项目(60636030)
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较...
关键词：垂直外腔面发射激光器 金属有机化合物气相淀积 反射谱 纵向增强因子 
高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计被引量：8
《光电子．激光》2008年第3期304-307,共4页王青 曹玉莲 何国荣 韦欣 渠红伟 宋国峰 陈良惠 
国家自然科学基金重点资助项目(60636030/F0403)
利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaA...
关键词：InGaAs/GaAsP 应变补偿 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 
键合界面对面发射激光器光与热性质的影响
《物理学报》2008年第3期1840-1845,共6页何国荣 郑婉华 渠红伟 杨国华 王青 曹玉莲 陈良惠 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2003CB314902);国家博士后科学基金(批准号:20060400488)资助的课题~~
通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度...
关键词：面发射激光器 热导率 电导率 键合界面 
高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1803-1806,共4页王青 曹玉莲 何国荣 韦欣 渠红伟 宋国峰 马文全 陈良惠 
国家自然科学基金重点资助项目(批准号:60636030)~~
报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件...
关键词：垂直腔面发射激光器 列阵 阈值电流 发散角 大功率 
键合界面对面发射激光器的光、热性质影响被引量：3
《红外与激光工程》2007年第6期798-801,共4页何国荣 郑婉华 渠红伟 杨国华 王青 曹玉莲 陈良惠 
国家重点基础研究发展规划资助项目(2003CB314902)
分析了采用双面键合长波长面发射激光器时,键合界面光吸收系数和电、热导率的变化对器件的光、热性质的影响。对于1λ光学腔的面发射激光器,键合界面吸收系数对器件光学性能影响较大,而对于1.5λ光学腔的面发射激光器,其光学性能基本不...
关键词：键合 面发射激光器 热导率 电导率 吸收系数 
InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算被引量：5
《物理学报》2007年第9期5429-5435,共7页杨晓杰 王青 马文全 陈良惠 
中国航天科工集团三院科技创新基金(批准号:HT3Y83582005)资助的课题.~~
根据八带k.p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波...
关键词：INGAAS 量子点 带内跃迁 八带k·p理论 
键合方法制备长波长面发射的实验和分析被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第3期444-447,共4页何国荣 郑婉华 渠红伟 杨国华 王青 吴旭明 曹玉莲 陈良惠 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314902)
通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和电学性质,良好的界面性质为使用键合技术制备长波长面发射激光器提供了...
关键词：键合 面发射激光器 光致发光谱 
InP基MOEMS可调谐器件的梁变形模拟
《Journal of Semiconductors》2007年第2期280-283,共4页吴旭明 王小东 何国荣 王青 曹玉莲 谭满清 
InP基微光机电系统(MOEMS)可调谐器件的梁在实验中常出现弯曲变形的现象,其原因是在生长的时候,As原子进入InP梁,产生了内部梯度应力.使用有限元分析软件,建立了一种无须测量内部应力的模拟梁变形的方法.模拟了单臂梁和双臂梁的弯曲变...
关键词：微光机电系统 可调谐 变形 梯度应力 
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