隧道结

作品数：408被引量：555H指数：10
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适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计
《电子与封装》2025年第1期29-34,共6页莫愁 王艳芳 李嘉威 陆楠楠 
自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电...
关键词：自旋转移力矩随机磁存储器 磁隧道结 宽温区 温度自适应 写电压产生电路 
MgO基磁性隧道结中隧穿磁-塞贝克效应温度特性的理论研究
《半导体光电》2024年第5期798-804,共7页刘超 陶懿洲 方贺男 
国家自然科学基金项目(11704197);南京邮电大学校级自然科学基金项目(NY221066,NY223074).
构建了基于光学方法的单晶势垒层磁性隧道结理论模型,并利用该模型研究了MgO基磁性隧道结中隧穿磁-塞贝克效应的温度特性。由于该理论模型充分地计入了势垒层的周期性和晶格畸变的影响,在此理论模型中,温度不仅通过费米分布函数对塞贝...
关键词：磁性隧道结 隧穿磁-塞贝克效应 晶格畸变 自旋热电子学 
磁性存储器陶瓷封装磁屏蔽设计与抗磁场干扰测试
《电子与封装》2024年第10期60-64,共5页赵桂林 郭永强 叶海波 王超 杨霄垒 孙杰杰 
磁性随机存取存储器(MRAM)以磁性隧道结(MTJ)作为存储单元来存储信息,并通过外加电流产生磁矩改写MTJ的信息,这种工作原理使得MRAM容易受到外部磁场的干扰,限制了MRAM在强磁场等恶劣环境下的应用。使用COMSOL软件进行仿真,设计并制作了...
关键词：磁性随机存取存储器 抗磁场干扰 磁屏蔽 磁性隧道结 陶瓷封装 
一维氧化锌纳米线真空隧道结的电子发射研究
《真空科学与技术学报》2024年第9期779-784,共6页刘济洲 刘海洋 李振军 
国家重点研发计划项目(2021YFC2802000);国家自然科学基金项目(52072084,52222207,51925203,52350143,52372141);中国科学院战略重点研究计划项目(XDB36000000);中国科学院青年团队计划项目(YSBR-091)。
纳米真空隧道结是一种重要的功能元件,(准)弹道输运机制使其具有更低的功耗和理论高达3×108 m/s的传输速度,是实现高性能电子器件的理想选择。利用一维纳米材料制备真空隧道结对于推进器件小型化和高集成具有重要意义。文章利用性质稳...
关键词：电子隧穿器件 一维纳米隧道结 超快光激发 氧化锌纳米线 
CrCl_(3)隧穿磁阻的界面效应与多场效应调控
《物理学报》2024年第13期277-285,共9页樊译颉 张阮 陈宇 蔡星汉 
国家重点研发计划(批准号:2020YFA0309200);上海交通大学基础研究特区计划(批准号:21TQ1400206);国家自然科学基金(批准号:92064013,11904226)资助的课题.
磁隧道结是研究磁性材料自旋结构、输运特性、磁相变和磁各向异性的重要实验平台.本研究基于干法转移技术制备了以机械剥离的少层范德瓦耳斯反铁磁绝缘体三氯化铬(CrCl_(3))为势垒层、少层石墨烯为电极的磁隧道结原型器件结构,并进行了...
关键词：磁隧道结 CrCl_(3) 负隧穿磁阻 栅极可调性 
基于磁性隧道结和双组分多铁纳磁体的超低功耗磁弹模数转换器
《物理学报》2024年第13期301-308,共8页夏永顺 杨晓阔 豆树清 崔焕卿 危波 梁卜嘉 闫旭 
国家自然科学基金(批准号:62274183,62301595);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2022JQ-073)资助的课题。
本文提出了一种由8个磁性隧道结(magnetic tunnel junction,MTJ)构成的3位磁弹模数转换器(magnetoelastic analog-to-digital converter,MEADC),该转换器中MTJ自由层为双组分多铁纳磁体.通过对多铁纳磁体实施应变介导的电压调控,可以实...
关键词：磁弹模数转换器 磁性隧道结 自旋电子学 纳磁体 
STT-MRAM存储器数据保持试验方法研究被引量：1
《电子与封装》2024年第7期80-84,共5页杨霄垒 申浩 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元结构为磁性隧道结(MTJ),该单元的热稳定性会随着温度的升高而变弱。MTJ这一特性导致传统激活能计算模型无法直接应用于STT-MRAM的高温数据保持特性测试,因此研究STT-MRAM的数据保持特...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁性隧道结 数据保持 存储器测试 
一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器
《中国集成电路》2024年第5期62-66,71,共6页张丽 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁隧道结 灵敏放大器 负偏压温度不稳定性 
基于C++SuperMix库的SIS混频器的研究
《上海师范大学学报（自然科学版中英文）》2024年第2期254-259,共6页魏苇 武向农 张毅闻 
国家自然科学基金(U2031128);上海师范大学一般科研项目(KF2021104)。
基于C++SuperMix软件库对680 GHz接收机中的双槽双超导隧道结(SIS)混频器进行深入模拟研究.在环境温度为4.2 K、本地振荡器(LO)频率为680 GHz、本振功率为100 nW、中频频率中心为10 GHz和中频匹配阻抗为50Ω的条件下,采用二次谐波的谐...
关键词：高频混频器 C++编程语言 SuperMix软件库 双槽双超导隧道结(SIS)混频器 
1Kb自旋转移矩磁随机存储器电路设计被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2024年第3期20-27,共8页谭玥 杜永乾 李桂芳 刘诗斌 
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2020JQ-206);深圳市科技创新委员会基金知识创新基础研究(自由探索)项目(JCYJ20180306171040865);国家自然科学基金资助项目(61873209,61504107,61704139)。
使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进...
关键词：磁存储器 非易失性存储器 自旋转移矩 磁隧道结 可靠性读写电路 
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