黄子乾

作品数：10被引量：12H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：PIN二极管GAAS砷化镓单片金属有机化合物气相淀积更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
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基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术
《固体电子学研究与进展》2014年第2期F0003-F0003,共1页赵岩 程伟 吴立枢 吴璟 石归雄 黄子乾 
南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移...
关键词：外延层转移 集成技术 异构集成 南京电子器件研究所 SI 剥离技术 键合技术 晶体管 
GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片被引量：3
《固体电子学研究与进展》2013年第1期37-41,共5页蒋东铭 陈新宇 杨立杰 黄子乾 
采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34d...
关键词：毫米波 砷化镓 PIN二极管 单刀双掷开关 微波单片集成电路 
S波段20W单片功率PIN限幅器
《固体电子学研究与进展》2009年第3期F0003-F0003,共1页彭龙新 蒋幼泉 黄子乾 杨立杰 李建平 
关键词：PIN限幅器 耐功率 S波段 PIN二极管 单片 低噪声放大器 GAAS 非线性模型 
1～26．5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第1期37-39,62,共4页陈新宇 冯欧 蒋幼泉 许正荣 黄子乾 李拂晓 
采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm ...
关键词：砷化镓 PIN二极管 单刀单掷 开关 单片 
毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2163-2166,共4页陈新宇 蒋幼泉 许正荣 黄子乾 李拂晓 
采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波...
关键词：毫米波 GAAS PIN二极管 单刀单掷 开关 单片 
砷化镓PIN管单片限幅器被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第4期F0003-F0003,共1页陈新宇 蒋幼泉 许正荣 黄子乾 
在微波功率发射系统中，为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态，在高功率的微波信号通过限幅器时，被衰减到较低的功率电平，...
关键词：限幅器 PIN管 砷化镓 低噪声放大器 PIN二极管 单片 发射系统 微波功率 
用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：3
《太阳能学报》2006年第5期433-435,共3页黄子乾 李肖 潘彬 张岚 
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高...
关键词：金属有机化合物气相淀积 GaInP/GaAs双结叠层太阳电池 隧穿结 掺杂技术 
用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
《固体电子学研究与进展》2005年第2期269-270,279,共3页王向武 黄子乾 潘彬 李肖 张岚 
通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 四氯化碳掺杂 
MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第4期546-548,共3页王向武 李肖 张岚 黄子乾 潘彬 
分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1...
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 结偏位 
碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
《固体电子学研究与进展》2004年第2期219-222,共4页王向武 张岚 黄子乾 潘彬 李肖 李忠辉 
用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W...
关键词：金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器 
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