基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术  

Heterogeneous Integration of GaAs PIN and Si by Epitaxial Layer Transfer Process

作　　者：赵岩[1] 程伟[1] 吴立枢[1] 吴璟[1] 石归雄[1] 黄子乾[1] 

机构地区：[1]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第2期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），

关 键 词：外延层转移 集成技术 异构集成 南京电子器件研究所 SI 剥离技术 键合技术 晶体管 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]