吴立枢

作品数：9被引量：22H指数：3
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发文主题：SI晶体管CMOSGAAS_PHEMTINP更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光电子技术》《电子元件与材料》《固体电子学研究与进展》更多>>
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晶体管级异质集成技术及其典型应用
《固体电子学研究与进展》2023年第2期95-100,共6页陈堂胜 戴家赟 吴立枢 孔月婵 周书同 齐志央 钟世昌 凌志健 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3404300)。
晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件...
关键词：半导体微波晶体管 晶体管级异质集成 外延层转移 低温键合 微波功率器件 限幅器 
晶圆级柔性高性能GaN HEMT及InP HBT器件
《固体电子学研究与进展》2023年第2期158-162,174,共6页戴家赟 陈鑫 王登贵 吴立枢 周建军 王飞 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2020YFA0709700)。
通过研究基于临时键合与解键合工艺的GaN、InP等材料无损剥离和晶圆级柔性集成等关键技术,提出了解决当前柔性化合物半导体器件普遍存在的转移后器件性能退化严重和大面积批量制造困难等问题的方案,制备出100 mm(4英寸)柔性GaN HEMT器件...
关键词：晶圆级 柔性 化合物器件 GaN HEMT InP HBT 
BCB键合层空洞对界面热阻的影响
《电子元件与材料》2022年第7期758-762,共5页郭怀新 王瑞泽 吴立枢 孔月婵 陈堂胜 
国家自然科学基金(61904162)。
晶圆级键合的纳米界面层热传递控制是微机电系统热管理和热设计的热点及难点,其原因是由于键合质量严重影响纳米界面层的热传输能力,而圆片级键合界面热阻表征技术则是业界难点,国内外未见有效的分析途径和统一的测试方法。基于超声扫...
关键词：苯并环丁烯(BCB) 空洞 激光闪射法 界面热阻 
薄膜铌酸锂电光调制器研究进展被引量：4
《光电子技术》2021年第3期159-166,共8页秦妍妍 吴立枢 陈泽贤 钱广 张晓阳 张彤 
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金资助项目(614280304011901)。
从铌酸锂电光调制器的工作原理出发,介绍了不同种类的薄膜铌酸锂波导技术和近年来部分具有代表性的薄膜铌酸锂电光调制器研究进展,并对未来发展所面临的挑战和前景进行了展望。
关键词：薄膜铌酸锂 电光调制器 光子集成 
InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片被引量：3
《固体电子学研究与进展》2018年第1期F0003-F0003,共1页吴立枢 程伟 张有涛 王元 李晓鹏 陈堂胜 
南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1...
关键词：HBT器件 异构集成 INP SI CMOS 芯片 降速 量化 
金刚石衬底GaN HEMT研究进展被引量：12
《固体电子学研究与进展》2016年第5期360-364,共5页陈堂胜 孔月婵 吴立枢 
SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 金刚石 转移技术 
GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究被引量：6
《固体电子学研究与进展》2016年第5期377-381,共5页吴立枢 赵岩 沈宏昌 张有涛 陈堂胜 
基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS...
关键词：转移 键合 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 Si互补金属氧化物半导体 异质互联 
GaAs pHEMT外延层转移技术研究
《固体电子学研究与进展》2014年第4期F0003-F0003,共1页赵岩 吴立枢 石归雄 程伟 栗锐 陈堂胜 陈辰 
随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。
关键词：半导体技术 外延层转移 化合物半导体 集成技术 晶体管 芯片 
基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术
《固体电子学研究与进展》2014年第2期F0003-F0003,共1页赵岩 程伟 吴立枢 吴璟 石归雄 黄子乾 
南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移...
关键词：外延层转移 集成技术 异构集成 南京电子器件研究所 SI 剥离技术 键合技术 晶体管 
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