HBT器件

作品数：14被引量：27H指数：3
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相关作者：孔月婵陈堂胜吴立枢程伟张金灿更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司西安电子科技大学中国科学院微电子研究所中证博芯(重庆)半导体有限公司更多>>
相关期刊：《材料导报》《微处理机》《微电子学》《半导体技术》更多>>
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晶圆级柔性高性能GaN HEMT及InP HBT器件
《固体电子学研究与进展》2023年第2期158-162,174,共6页戴家赟 陈鑫 王登贵 吴立枢 周建军 王飞 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2020YFA0709700)。
通过研究基于临时键合与解键合工艺的GaN、InP等材料无损剥离和晶圆级柔性集成等关键技术,提出了解决当前柔性化合物半导体器件普遍存在的转移后器件性能退化严重和大面积批量制造困难等问题的方案,制备出100 mm(4英寸)柔性GaN HEMT器件...
关键词：晶圆级 柔性 化合物器件 GaN HEMT InP HBT 
硅基异质集成技术发展趋势与进展被引量：8
《微电子学》2020年第2期214-218,共5页武俊齐 赖凡 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280205030517)。
目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技...
关键词：硅基异质集成 3D SoC 光互连SiP 太赫兹SiGe HBT器件 电磁微系统 
GaAs HBT中测信号防护处理
《微处理机》2020年第2期10-14,共5页肖宗勇 陈剑平 陈燕玲 徐智文 
在集成电路前段代工厂制作完成后,为确保出货电性及封装良率,客户会要求出货前对器件进行电性及可靠度测试。由于HBT砷化镓芯片高集成度及高频等因素,在中测时存在振荡与干扰,无法得到真实的电性良率,而且不同于手动探针台每次只测试单...
关键词：HBT器件 砷化镓 中测 探针卡 干扰 振荡 
InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片被引量：3
《固体电子学研究与进展》2018年第1期F0003-F0003,共1页吴立枢 程伟 张有涛 王元 李晓鹏 陈堂胜 
南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1...
关键词：HBT器件 异构集成 INP SI CMOS 芯片 降速 量化 
一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件特性研究
《固体电子学研究与进展》2013年第1期32-36,共5页刘冬华 段文婷 石晶 胡君 陈帆 黄景峰 钱文生 肖胜安 朱东园 
国家科技02专项十一五重大资助项目(2009ZX02303)
对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器...
关键词：锗硅NPN异质结三极管 电流增益 截止频率 
fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第5期F0003-F0003,共1页程伟 赵岩 王元 陆海燕 高汉超 陈辰 杨乃彬 
数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南...
关键词：INGAAS 共基极 毫米波单片集成电路 南京电子器件研究所 数模混合电路 1/f噪声 HBT器件 通信系统 
基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统
《半导体技术》2008年第S1期8-11,共4页欧阳思华 武锦 李艳奎 刘新宇 
由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HBT)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能间...
关键词：一键式测量 虚拟仪器 自动测试系统 磷化铟异质结双极型晶体管 
InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展被引量：2
《材料导报》2006年第12期5-7,共3页林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)
概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。
关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 微波单片集成电路 
用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn^-型硅外延研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1666-1671,共6页黄文韬 陈长春 李希有 沈冠豪 张伟 刘志弘 陈培毅 钱佩信 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA3 Z12 3 0 )~~
利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显...
关键词：UHV/CVD 硅外延 杂质分布 SIGE HBT 
基于InP的HBT的低温、高电流寿命试验
《电子产品可靠性与环境试验》2003年第1期67-67,共1页
关键词：INP 磷化铟 寿命试命 AlInAs/GaInAs HBT器件 
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