共基极

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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
《现代电子技术》2025年第2期14-20,共7页张斌 蒋颖丹 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦...
关键词：驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管 
一款音频放大电路的设计与分析
《现代教育与应用》2024年第5期30-31,共2页朝霞 贺方圆 肖琳 何林青 
北京联合大学应用科技学院2023年院级科研立项,项目号:YKKY02309,学科发展专项一般项目;北京市教育委员会科学研究计划项目资助,项目号:KM202211417005;北京联合大学科研项目资助(项目编号:ZK90202106)。
通过分立元件设计一款音频放大电路,针对音频输入信号特点设计电压放大倍数和功率放大。设计电路共分为三级,依据输入信号的阻抗特点,有效的利用共基极、共射级和功率放大电路的组合实现对喇叭的驱动。文中对每一部分电路输入输出阻抗...
关键词：共基极放大 共射级放大 功率放大 阻抗匹配 
一种双极型两线制电流转换器的设计
《微处理机》2023年第3期15-19,共5页林雨佳 张丹 
针对工业上远距离传输电压模拟信号时存在的电压衰减问题,设计一种双极型两线制精密电流转换器。设计以传输4~20mA电流为目标,电路基于商用4.0μm 40V高精度双极工艺完成设计,环路电源电压工作范围为7.5~36V。电路内置2.5V带隙基准模块...
关键词：电流转换器 两线制 基准电压 稳压器 共基极运放 
一种低功耗245 GHz次谐波接收机被引量：1
《红外与毫米波学报》2019年第6期739-744,共6页毛燕飞 鄂世举 SCHMALZ Klaus SCHEYTT J.Christoph 
浙江省自然科学基金青年基金(LQ17F040001);东南大学毫米波国家重点实验室开放项目(K201817)~~
介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链...
关键词：245 GHz 次谐波接收机 锗硅BiCMOS工艺 低功耗 共基极低噪声放大器 二次次谐波无源反接并联二极管对混频器 中频放大器 
三极管放大电路的研究被引量：1
《电子制作》2016年第1期68-69,共2页李莲英 
三极管放大电路能够有效地增强信号强度,在生活中的应用十分广泛。因此,三极管放大电路的研究对我国社会发展具有积极意义。本文对三极管三种放大电路进行了静态分析,并分析了三种放大电路的特点以及各自用途,从而促进三极管放大电路的...
关键词：放大电路 共发射极 共基极电极 共基极 
三极管共基极放大电路分析
《电子世界》2015年第24期147-147,149,共2页张坦通 
目前大部分教材在讲解三极管放大电路过程中,对共基极放大电路的分析不是太全面,甚至忽略不讲,因此,本文主要对共基极放大电路进行了讨论,并分析了共基极放大电路的性能指标,最后,总结了共基极放大电路的特点及其应用。
关键词：共基极放大电路 静态工作点 稳定性 性能指标 
fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第5期F0003-F0003,共1页程伟 赵岩 王元 陆海燕 高汉超 陈辰 杨乃彬 
数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南...
关键词：INGAAS 共基极 毫米波单片集成电路 南京电子器件研究所 数模混合电路 1/f噪声 HBT器件 通信系统 
10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计
《高技术通讯》2010年第7期750-753,共4页陈准 冯军 王远卓 
863计划(2006AA01Z284)资助项目
采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放...
关键词：光纤通信 前置放大器 限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.35μm SIGE BICMOS工艺 共基极 
共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性
《半导体技术》2009年第8期759-762,共4页王显泰 金智 程伟 苏永波 申华军 
制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下为1.24W...
关键词：功率放大器 磷化铟 双异质结双极型晶体管 负载牵引 
亚微米级BJT的共基极、共发射极特性分析
《常州工学院学报》2008年第4期45-48,共4页李青龙 
文章借助Matlab工具对超大规模集成电路(VLSIC)中小尺寸双极型晶体管(BJT)的共基极接法、共发射极接法的输入、输出特性进行了数值分析与计算。通过模拟与分析得出:在VLSIC中,BJT在共基极接法和共发射极接法中,共基极接法的输入特性和...
关键词：BJT 共基极 共发射极 Ebers—Moll MODEL 
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