SIGE工艺

作品数：16被引量：7H指数：2
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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
《现代电子技术》2025年第2期14-20,共7页张斌 蒋颖丹 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦...
关键词：驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管 
基于SiGe工艺多抽头电感结构的紧凑型Wilkinson功分器
《现代电子技术》2024年第10期13-17,共5页张斌 秦战明 孙文俊 蒋颖丹 汪柏康 张礼怿 
为了解决传统Wilkinson功分器损耗高、尺寸大的问题,从功分器的理论分析出发,将传统的微带线结构和LC集总式结构进行改进,在隔离电阻处引入频率补偿电容,设计一种新型的多抽头电感结构的紧凑型宽带二等分功分器。所设计的功分器基于0.18...
关键词：WILKINSON功分器 多抽头电感 SIGE工艺 二等分结构 补偿电容 低损耗 小型化 
一种基于SiGe工艺的高速宽带D/A转换器
《微电子学》2023年第3期372-378,共7页臧剑栋 杨卫东 李静 张世莉 刘军 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(61428020109)
介绍了一款基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的12位4.5 GSPS D/A转换器。首先给出了低延迟高速率DAC设计对制造工艺器件参数的约束评估,设计采用了低延迟架构和CML逻辑。一种创新的输出模式架构突破了大多数DAC输出频谱sin(x)/x包络的极...
关键词：D/A转换器 CML逻辑 SIGE工艺 低延迟 
基于0.13μm SiGe工艺的48~68GHz四倍频器
《微电子学》2022年第5期868-872,共5页赵振 杨浩然 唐人杰 王卡楠 桂小琰 
国家自然科学基金资助项目(62174132)。
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种应用于高速光通信的全集成注入锁定四倍频器芯片。该设计包括单端转差分放大器、注入锁定二倍频器(ILFD)以及分频器(Divider-by-2)。测试结果表明,该四倍频器的输出锁定范围达到了48~68 G...
关键词：注入锁定 倍频器 四倍频器 锁定范围 
一种基于0.18μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器
《成都信息工程大学学报》2022年第4期392-395,共4页张红 张振宁 叶松 
随着无线通信技术的高速发展,对高频率高带宽的频率源需求愈加迫切。在高频大带宽频率源中,高性能的分频器是一个重要的部分。为满足高频宽带通信的应用需求,设计实现了基于电流模逻辑结构的高频宽带除8/9、16/17前置分频器。通过分析CM...
关键词：CML 前置分频器 HBT SIGE BICMOS 
一种基于0.13μm SiGe工艺的77GHz功率放大器被引量：2
《微电子学》2021年第3期314-318,共5页黄继伟 朱嘉昕 
国家自然科学基金面上项目(61774035)。
提出了一种采用0.13μm SiGe工艺制作的77GHz功率放大器。该放大器采用两路合成结构提高输出功率,采用两级差分放大结构提高增益。功率级选择Cascode结构,提升功率级输出阻抗,便于匹配。驱动级选择共射极加中和电容的结构,便于提升增益...
关键词：耦合线 功率合成 SIGE 功率放大器 
一种用于SKA的SiGe宽带低噪声放大器
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2019年第2期211-214,236,共5页陈涛 庞东伟 桑磊 曹锐 
国家自然科学基金资助项目(61401143)
文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器。放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级...
关键词：宽带 超低噪声 SIGE工艺 低噪声放大器 平方公里阵列(SKA) 
一种基于0.18 μm SiGe工艺的毫米波带通滤波器设计
《仪表技术》2017年第7期41-42,共2页李杰 梁晓新 阎跃鹏 万晶 林叙辰 
北京科技委资助项目(Y6BK01F001)
毫米波带通滤波器的设计现在是一个热点,提出一个新颖的毫米波带通滤波器结构,并得以在0.18μm Si Ge工艺上实现。仿真结果表明,该滤波器带宽为20 GHz,插入损耗小于3 d B,回波损耗在带内好于10 d B。
关键词：毫米波带通滤波器 带宽 插入损耗 回波损耗 
SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计
《半导体技术》2012年第8期653-657,共5页王邦麟 苏庆 金峰 李平梁 徐向明 
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和...
关键词：异质结双极型晶体管 锗硅 静电保护 寄生电容 射频 
雷达用X波段SIGE单-MMIC收发模块
《空载雷达》2008年第3期68-72,共5页Mark A. Mitchell John D. Cressler 罗先志(译) 孔德武(校) 
描述了雷达用单-MMIC收发（T／R）模块的研制情况。这种T／R模块是用IBM 8HP SiGe BiCMOS工艺技术制作的。本文描述了T／R模块的拓扑结构，给出了内部射频元器件的性能，如LNA、SP2T开关、SP3T开关、移相器和功放的性能，以及所有模拟...
关键词：单-MMIC收发模块 SIGE工艺 雷达系统 模拟性能 
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